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新型IGBT軟開(kāi)關(guān)在應(yīng)用中的損耗分析

本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT，并將探討面向軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用的1,200V逆導(dǎo)型IGBT所取得的重大技術(shù)進(jìn)步。IGBT技術(shù)進(jìn)步主要體現(xiàn)在兩個(gè)方面：通過(guò)采用和改進(jìn)溝槽柵來(lái)優(yōu)化垂直方向載流子濃度，以及利用ldquo
關(guān)鍵字： IGBT 軟開(kāi)關(guān) 損耗分析

功率雙極晶體管由于其低廉的成本，在開(kāi)關(guān)電源中作為功率開(kāi)關(guān)管得到了廣泛的應(yīng)用。應(yīng)用電子輻照技術(shù)可以減小少子壽命，降低功率雙極晶體管的儲(chǔ)存時(shí)間、下降時(shí)間，提高開(kāi)關(guān)速度，且一致性、重復(fù)性好，成品率高，
關(guān)鍵字：電子輻照雙極晶體管損耗分析

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