Transphorm氮化鎵器件率先達(dá)到對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用至關(guān)重要的抗短路穩(wěn)健性里程碑

• 新世代電力系統(tǒng)的未來，氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的全球領(lǐng)先供應(yīng)商Transphorm, Inc.近日宣布，利用該公司的一項(xiàng)專利技術(shù)，在氮化鎵功率晶體管上實(shí)現(xiàn)了長(zhǎng)達(dá)5微秒的短路耐受時(shí)間（SCWT）。這是同類產(chǎn)品有記錄以來首次達(dá)到的成就，也是整個(gè)行業(yè)的一個(gè)重要里程碑，證明?Transphorm 的氮化鎵器件能夠滿足伺服電機(jī)、工業(yè)電機(jī)和汽車動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)等傳統(tǒng)上由硅?IGBT 或碳化硅（SiC）MOSFET 提供支持的堅(jiān)固型功率逆變器所需的抗短路能力 --- 氮化鎵在這類應(yīng)用領(lǐng)域未來五年的
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