低驅(qū)動(dòng)電壓RF MEMS懸臂梁開(kāi)關(guān)的對(duì)比研究*

• 　　歐書(shū)俊，張國(guó)俊，王姝婭，戴麗萍，鐘志親（電子科技大學(xué) 電子薄膜與集成器件國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，四川 成都 611731）　　摘 要：本文針對(duì)一字型懸臂梁RF MEMS開(kāi)關(guān)，提出了兩種降低驅(qū)動(dòng)電壓RF MEMS開(kāi)關(guān)的方法，分別為：增大局部驅(qū)動(dòng)面積和降低彈性系數(shù)。根據(jù)這兩種方法設(shè)計(jì)了4種形狀的懸臂梁開(kāi)關(guān)，分別為增大局部驅(qū)動(dòng)面積的十字型梁，降低彈性系數(shù)的三叉戟型、蟹鉗型和折疊型梁。在梁的長(zhǎng)度、厚度和初始間隙等參數(shù)一致的情況下，通過(guò)CMOSOL軟件建模仿真得到了這4種懸臂梁的驅(qū)動(dòng)電壓，分別為7.2 V、5.6 V、
• 關(guān)鍵字： 202007  RF MEMS  懸臂梁  驅(qū)動(dòng)電壓  彈性系數(shù)