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異質(zhì) 文章進(jìn)入異質(zhì)技術(shù)社區(qū)

毛軍發(fā)院士：半導(dǎo)體異質(zhì)集成電路的現(xiàn)狀與挑戰(zhàn)

在“2021世界半導(dǎo)體大會(huì)暨南京國際半導(dǎo)體博覽會(huì)”的“高峰論壇”上，中國科學(xué)院院士，上海交通大學(xué)黨委常委、副校長毛軍發(fā)做了《半導(dǎo)體異質(zhì)集成電路》的報(bào)告，介紹了背景與意義，現(xiàn)狀與問題。
關(guān)鍵字： 202108 異質(zhì) 集成電路

以異質(zhì)多核心平臺(tái)實(shí)現(xiàn)多媒體可攜應(yīng)用

以異質(zhì)多核心平臺(tái)實(shí)現(xiàn)多媒體可攜應(yīng)用,不論是制作端、播放端或設(shè)備端，數(shù)字多媒體的應(yīng)用已愈來愈多樣和廣泛，在技術(shù)上的努力都致力于達(dá)到隨時(shí)(Anytime)、隨地(Anywhere)、任何設(shè)備(Any device)和各種網(wǎng)絡(luò)(Any network)都能制作、播放數(shù)字多媒體的環(huán)境。這
關(guān)鍵字：多媒體應(yīng)用實(shí)現(xiàn) 平臺(tái) 核心異質(zhì)

GaAsSb雙異質(zhì)結(jié)雙極晶體管集成電路DHBT技術(shù)

Abstract— 一種用于射頻和微波測試系統(tǒng)的高性能GaAsSb基區(qū)，InP集電區(qū) DHBT IC 工藝被成功研發(fā)。這種GaAsSb工藝使得在工作電流為JC = 1.5 mA/micro;msup2;時(shí)fT 和 fmax分別達(dá)到了 185 GHz and 220 GHz，JC =
關(guān)鍵字： DHBT 技術(shù) 集成電路晶體管異質(zhì) 雙極 GaAsSb

一種用于射頻和微波測試系統(tǒng)的GaAsSb雙異質(zhì)結(jié)雙極晶體管集成電路DHBT技術(shù)

Abstract― 一種用于射頻和微波測試系統(tǒng)的高性能GaAsSb基區(qū)，InP集電區(qū) DHBT IC 工藝被成功研發(fā)。這種GaAsSb工藝使得在工作電流為JC = 1.5 mA/µm²時(shí)fT 和 fmax分別達(dá)到了 185 GHz and 220 GHz，JC = 1.3
關(guān)鍵字：晶體管集成電路 DHBT 技術(shù) 雙極異質(zhì) 射頻微波測試系統(tǒng)

共4條 1/1 1

異質(zhì)介紹

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異質(zhì)電路

脈沖雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)激光驅(qū)動(dòng)器
采用單異質(zhì)結(jié)激光二極管的高電流驅(qū)動(dòng)電路

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