進(jìn)軍2nm工藝 中科院研發(fā)世界首個(gè)自對(duì)準(zhǔn)柵極的疊層垂直納米環(huán)柵晶體管

• 目前全球最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝已經(jīng)進(jìn)入7nm，下一步還要進(jìn)入5nm、3nm節(jié)點(diǎn)，制造難度越來(lái)越大，其中晶體管結(jié)構(gòu)的限制至關(guān)重要，未來(lái)的工藝需要新型晶體管。來(lái)自中科院的消息稱，中國(guó)科學(xué)家研發(fā)了一種新型垂直納米環(huán)柵晶體管，它被視為2nm及以下工藝的主要技術(shù)候選，意義重大。從Intel首發(fā)22nm FinFET工藝之后，全球主要的半導(dǎo)體廠商在22/16/14nm節(jié)點(diǎn)開始啟用FinFET鰭式晶體管，一直用到現(xiàn)在的7nm，未來(lái)5nm、4nm等節(jié)點(diǎn)也會(huì)使用FinFET晶體管，但3nm及之后的節(jié)點(diǎn)就要變了，三星在去年率先宣
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