場效應(yīng) 文章 進入場效應(yīng)技術(shù)社區(qū)
EPC新推最小型化的100 V、2.2 m?氮化鎵場效應(yīng)晶體管
- 宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）新推100 V、2.2 mΩ的氮化鎵場效應(yīng)晶體管（EPC2071）,為設(shè)計工程師提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面積受限的應(yīng)用。全球行業(yè)領(lǐng)先供應(yīng)商宜普電源轉(zhuǎn)換公司為業(yè)界提供增強型氮化鎵（eGaN?）功率場效應(yīng)晶體管和集成電路，最新推出100 V、典型值為1.7 mΩ?的EPC2071氮化鎵場效應(yīng)晶體管，為客戶提供更多可選的低壓氮化鎵晶體管和可以立即發(fā)貨。?EPC2071是面向要求高功率密度的應(yīng)用的理想器件，包括用于新型服務(wù)器和人工智能的
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HVVi推出首個高頻高電壓垂直場效應(yīng)三極管
- HVVi推出首個高頻高電壓垂直場效應(yīng)三極管 HVVi半導(dǎo)體推出首個高頻高電壓垂直場效應(yīng)三極管（HVVFET?），HVVi的新構(gòu)架為雷達和航空電子應(yīng)用提供頻帶、電壓以及功率級，遠遠超過了目前的雙極性和LDMOS技術(shù)的性能。這一具有革命性新的正在申請專利的技術(shù)使得HVVi達到了可與非硅芯片技術(shù)的性能級別，而其成本水平卻極具吸引力。 作為初始發(fā)布的一部分，HVVi還推出基于這一新穎HVVFET構(gòu)架的最早三款產(chǎn)品。用于L-波段高功率脈沖RF應(yīng)用，如IFF，TCAS，TACAN以及Mode-S，三個新產(chǎn)品
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