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吸收 文章 進(jìn)入吸收技術(shù)社區(qū)
80V浪涌吸收器原理與設(shè)計(jì)
- 摘要 針對(duì)飛機(jī)直流電源上的浪涌干擾，分析了采用電壓鉗位和開(kāi)關(guān)式穩(wěn)壓電路兩種方法，實(shí)現(xiàn)80V浪涌吸收器的可行性。經(jīng)過(guò)設(shè)計(jì)和試驗(yàn)，較好地解決了這一問(wèn)題。
關(guān)鍵詞 機(jī)載電子設(shè)備；80V浪涌吸收器；浪涌干擾
隨 - 關(guān)鍵字： 設(shè)計(jì) 原理 吸收 80V
一種反激變換器的RCD吸收回路設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
- 當(dāng)MOSFET關(guān)斷時(shí)，就會(huì)有一個(gè)高壓尖刺出現(xiàn)在其漏極上。這是由于主變壓器的漏感和MOSFET輸出電容諧振造成的，在漏極上過(guò)高的電壓可能會(huì)擊穿MOSFET，為此就必須增加一個(gè)附加電路來(lái)鉗制這個(gè)電壓。在此技術(shù)范圍，我們介紹反激變換器的RCD吸收回路。
- 關(guān)鍵字： 設(shè)計(jì) 實(shí)現(xiàn) 回路 吸收 RCD 變換器
基于開(kāi)關(guān)電源的尖峰吸收電路設(shè)計(jì)
- 摘要：為了防止開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)中的高速開(kāi)關(guān)電路存在的分布電感與電容在二極管蓄積電荷的影響下產(chǎn)生浪涌電壓與噪聲。文中通過(guò)采用RC或LC吸收電路對(duì)二極管蓄積電荷產(chǎn)生的浪涌電壓采用非晶磁芯和矩形磁芯進(jìn)行磁吸收，從而
- 關(guān)鍵字： 電路設(shè)計(jì) 吸收 尖峰 開(kāi)關(guān)電源 基于
開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)之MOS管反峰及RCD吸收回路
- 對(duì)于一位開(kāi)關(guān)電源工程師來(lái)說(shuō)，在一對(duì)或多對(duì)相互對(duì)立的條件面前做出選擇，那是常有的事。而我們今天討論的這個(gè)話題就是一對(duì)相互對(duì)立的條件。（即要限制主MOS管最大反峰，又要RCD吸收回路功耗最?。? 在討論前我們先做
- 關(guān)鍵字： 吸收 回路 RCD 管反峰 設(shè)計(jì) MOS 開(kāi)關(guān)電源
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