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        Kyma公司推高摻雜的n+型氮化鎵體單晶襯底

        •   美國Kyma公司新推出高摻雜n+型氮化鎵體單晶襯底,尺寸為10 ′10 mm-2和18 ′18 mm-2,同時(shí)他們也正在研發(fā)直徑2英寸的氮化鎵襯底,下一步是進(jìn)入量產(chǎn)階段。這次Kyma新研制的高摻雜n+型氮化鎵襯底的電阻率小于0.02歐姆厘米,導(dǎo)電能力得到極大提高,電阻率比他們以前的n型氮化鎵襯底低兩個(gè)數(shù)量級(jí)。此外,Kyma也成功開發(fā)了高摻雜n+型氮化鎵襯底晶片,n型載流子濃度達(dá)到了6′1018 cm-3,對(duì)應(yīng)電阻率僅為0.005歐姆厘米。
        • 關(guān)鍵字: Kyma  單晶襯底  
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        單晶襯底介紹

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