半浮柵晶體管 文章 進(jìn)入半浮柵晶體管技術(shù)社區(qū)
中國半浮柵晶體管橫空出世 應(yīng)避免被國外趕超
- 8月9日出版的《科學(xué)》(Science)雜志刊發(fā)了復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院張衛(wèi)課題組最新科研論文，該課題組提出并實(shí)現(xiàn)了一種新型的微電子基礎(chǔ)器件：半浮柵晶體管(SFGT，Semi-Floating-GateTransistor)。這是我國科學(xué)家在該頂級學(xué)術(shù)期刊上發(fā)表的第一篇微電子器件領(lǐng)域的原創(chuàng)性成果，標(biāo)志著我國在全球尖端集成電路技術(shù)創(chuàng)新鏈中獲得重大突破。 集成電路產(chǎn)業(yè)獲突破 經(jīng)過十余年的發(fā)展，當(dāng)前我國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售收入從2001年的199億元，提高到2011年的1572億元，占全球集成電路市場的
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復(fù)旦研制新型微電子器件半浮柵晶體管 有望提速CPU
- 復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院副院長、國家02重大專項(xiàng)總體組專家張衛(wèi)教授領(lǐng)銜的科研團(tuán)隊(duì)研制出一種新型的微電子器件——半浮柵晶體管(SFGT)，可讓數(shù)據(jù)擦寫更容易、速度更快，操作電壓更低，為設(shè)計低功耗芯片奠定了基礎(chǔ)。相關(guān)研究成果刊登于8月8日出版的《科學(xué)》雜志上。這是我國科學(xué)家在該雜志上發(fā)表的第一篇微電子器件方面的論文。 據(jù)介紹，張衛(wèi)教授團(tuán)隊(duì)長期從事集成電路工藝和半導(dǎo)體器件的研究。這一成果被業(yè)內(nèi)學(xué)者稱為將可能改變近年來IT業(yè)界所擔(dān)憂的問題:技術(shù)的發(fā)展將使摩爾定律達(dá)到極限無法再突破。這也
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