功率晶體管 文章 進(jìn)入功率晶體管技術(shù)社區(qū)
中國功率器件市場(chǎng)增速放緩MOSFET是亮點(diǎn)
- 在中國中，電源|穩(wěn)壓器管理IC仍舊占據(jù)市場(chǎng)首要位置，（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）位于第二位，大功率晶體管位于第三位，此三大產(chǎn)品銷售額占整體市場(chǎng)的80%以上。IGBT（絕緣柵雙極晶體管）銷售額雖然不大，但隨著其在工業(yè)控制、消費(fèi)電子領(lǐng)域中應(yīng)用的不斷增多，其市場(chǎng)銷售額保持著較快的增長(zhǎng)，是中國功率器件市場(chǎng)中的新興產(chǎn)品。 從應(yīng)用領(lǐng)域上看，消費(fèi)電子領(lǐng)域銷售額位列第一位，工業(yè)控制居于第二，計(jì)算機(jī)領(lǐng)域銷售額位于第三位。這三大領(lǐng)域銷售額占整體市場(chǎng)的68.9%，是功率器件的重要應(yīng)用市場(chǎng)。同時(shí)，憑借筆記本電腦
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英飛凌推出全新射頻功率晶體管
- 英飛凌科技股份公司（FSE/NYSE:IFX）在近期舉行的IEEE MTT-S國際微波研討會(huì)上，發(fā)布了專門面向700 MHz頻段無線基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用的全新射頻功率晶體管系列。該頻段在美國將用于承載4G（第四代）蜂窩、移動(dòng)電視廣播和其他移動(dòng)寬帶服務(wù)，其中包括LTE（長(zhǎng)期演進(jìn)）和下一代無線網(wǎng)絡(luò)標(biāo)準(zhǔn)。這一全新系列產(chǎn)品拓展了英飛凌的射頻功率晶體管組合，包括一個(gè)55 W驅(qū)動(dòng)器及兩個(gè)輸出級(jí)晶體管（分別為170 W和240 W），在700 MHz頻段提供業(yè)界最高水平的峰值功率。 基于英飛凌先進(jìn)的LDMOS （橫向
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恩智浦突破性地提升LDMOS基站的功率效率
- 恩智浦推出BLC7G22L（S）-130基站功率晶體管，這是恩智浦應(yīng)用其業(yè)界領(lǐng)先的第七代橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（LDMOS）技術(shù)的首款產(chǎn)品，專為高功耗和Doherty放大器應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。恩智浦的第七代LDMOS技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)目前功效最高的LDMOS解決方案，與上一代產(chǎn)品相比，功率密度提高了20%，功率效率增長(zhǎng)了兩個(gè)百分點(diǎn)，而Rth熱阻則降低25%以上。恩智浦第七代LDMOS基站前期晶體管的最初原型將于2008年美國喬治亞州亞特蘭大舉辦的IEEE MTT-S國際微波研討會(huì)期間進(jìn)行展示。 恩智浦R
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功率晶體管介紹
耗散功率在 1瓦以上的晶體管。在電力電子器件中為一大類，包括雙極型功率晶體管、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管、功率靜電感應(yīng)晶體管、隔離柵晶體管、復(fù)合晶體管等。通常，功率晶體管是雙極型功率晶體管的簡(jiǎn)稱。
制造功率晶體管用的半導(dǎo)體材料多為單晶硅（也有用鍺或砷化鎵的）。器件的心片通常裝在散熱良好的金屬塊上。功率晶體管往往做成功率集成器件，其一個(gè)器件的心片上就含有數(shù)十個(gè)乃至上萬個(gè)并聯(lián)的晶體管單元。
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