功率器件 文章 進(jìn)入功率器件技術(shù)社區(qū)
日本設(shè)立共同研究室 加快氮化鎵功率器件研發(fā)進(jìn)程
- 據(jù)報道，共同研究室預(yù)計將于2017年3月底前后設(shè)置、最初由總計10名左右的研究人員參加。該研究室力爭將“氮化鎵”這種物質(zhì)運用在控制電流的新一代半導(dǎo)體功率器件等中。 據(jù)了解，“氮化鎵”是天野研發(fā)的獲諾貝爾獎的藍(lán)色發(fā)光二級管(LED)的材料。該研究室力爭把名古屋大學(xué)研制氮化鎵結(jié)晶的技術(shù)與該機構(gòu)調(diào)查物質(zhì)性質(zhì)的技術(shù)相結(jié)合，加快研發(fā)進(jìn)程。 天野是小出在名古屋大學(xué)念書時低一屆的學(xué)弟。兩人在名城大學(xué)終身教授赤崎勇(2014年分享諾貝爾物理學(xué)獎)門下一同進(jìn)行
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幾種直流電機驅(qū)動電路圖及設(shè)計思路
- 本文為您詳細(xì)介紹直流電機驅(qū)動設(shè)計需要注意的事項，低壓驅(qū)動電路的簡易柵極驅(qū)動、邊沿延時驅(qū)動電路圖解及其設(shè)計思路。 以上是直流電機驅(qū)動電路圖，下面為您詳細(xì)介紹直流電機驅(qū)動設(shè)計需要注意的事項，低壓驅(qū)動電路的簡易柵極驅(qū)動、邊沿延時驅(qū)動電路圖解及其設(shè)計思路。 一、 直流電機驅(qū)動電路的設(shè)計目標(biāo) 在直流電機驅(qū)動電路的設(shè)計中，主要考慮一下幾點： 1. 功能：電機是單向還是雙向轉(zhuǎn)動?需不需要調(diào)速?對于單向的電機驅(qū)動，只要用一個大功率三極管或場效應(yīng)管或繼電器直接帶動電機
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三菱電機攜八款功率器件在PCIM Asia 2016隆重登場
- 三菱電機今年繼續(xù)以“創(chuàng)新 功率器件構(gòu)建可持續(xù)未來”為主題， 攜帶八款新型功率器件，于6月28至30日在上海世博展覽館舉行的 PCIMAsia2016(上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會)中登場，向公眾展示其在功率 半導(dǎo)體市場上的非凡實力(三菱電機展位號：B15)。 今年展出的功率器件應(yīng)用范圍跨越四大領(lǐng)域，包括：變頻家電、軌道牽引及電力傳輸、電動 汽車、工業(yè)和新能源發(fā)電，致力為客戶提供高性能及低損耗的產(chǎn)品。 變頻家電市場 在變頻家電應(yīng)用方面，三菱電機這次在去
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AOS：功率器件市場迎來歷史性變革
- 萬國半導(dǎo)體?(Alpha?and?Omega?Semiconductor?,AOS)為集設(shè)計、開發(fā)與銷售為一體的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商，提供廣泛的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品線，包括完整的功率MOSFET和電源管理IC產(chǎn)品系列?！耙孕履茉醇夹g(shù)的逐漸實用化為主軸，功率變換市場正經(jīng)歷一場歷史性的變革。新能源的普及過程中電池儲能技術(shù)是關(guān)鍵的一環(huán)?！?AOS?MOSFET全球市場資深總監(jiān)馮雷指出?！ ∧?016年的功率器件市場發(fā)展具體呈現(xiàn)出哪些特點呢?馮雷表示
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完全自保護(hù)MOSFET功率器件分析
- 為了提高系統(tǒng)可靠性并降低保修成本，設(shè)計人員在功率器件中加入故障保護(hù)電路，以免器件發(fā)生故障，避免對電子系統(tǒng)造成高代價的損害。這通常利用外部傳感器、分立電路和軟件來實現(xiàn)，但是在更多情況下，設(shè)計人員使用完全自保護(hù)的MOSFET功率器件來完成?！ D1顯示了完全自保護(hù)MOSFET的一般拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。這些器件常見的其他特性包括狀態(tài)指示、數(shù)字輸入、差分輸入和過壓及欠壓切斷。高端配置包括片上電荷泵功能。但是，大多數(shù)器件都具備三個電路模塊，即電流限制、溫度限制和漏-源過壓箝制，為器件提供大部分的保護(hù)。 &n
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力特主攻傳感器、功率器件
- *貴公司所關(guān)注的智能制造(傳感、控制或安全等)方面，相關(guān)的技術(shù)及發(fā)展趨勢如何? Littelfuse目前致力于消費類電子產(chǎn)品的市場推進(jìn)，利用我們在電路保護(hù)領(lǐng)域取得的優(yōu)勢進(jìn)一步的拓寬傳感器和電源控制的產(chǎn)品。這些都是我們的未來的產(chǎn)品的方向，智能化的穿戴設(shè)備智能家居都離不開傳感器的存在，例如我們的位置開關(guān)，門禁開關(guān)都是我們的傳感器的產(chǎn)品。電源控制產(chǎn)品是基于我們傳統(tǒng)的半導(dǎo)體的技術(shù)的進(jìn)一步的創(chuàng)新，例如我們的開發(fā)的碳化硅的開關(guān)器件可以很好地降低開關(guān)的損耗，提高開關(guān)頻率更好的適應(yīng)電力電子產(chǎn)品對器件的高性能的需求。
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新型GaN功率器件的市場應(yīng)用趨勢
- 第五屆EEVIA年度中國ICT媒體論壇暨2016產(chǎn)業(yè)和技術(shù)展望研討會 時間：2016.01.14 下午 地點：深圳南山軟件創(chuàng)業(yè)基地 IC咖啡 演講主題: 新型GaN功率器件的市場應(yīng)用趨勢 演講嘉賓: 蔡振宇 富士通電子元器件市場部高級經(jīng)理 主持人：接下來開始第三場演講。大家知道無論消費電子產(chǎn)品還是通訊硬件、電動車以及家用電器，提升電源的轉(zhuǎn)換能效、功率密度、延長電池使用的時間，這已經(jīng)是比較大的挑戰(zhàn)了。所有這一切都意味著電子產(chǎn)業(yè)會越來越依賴新型功
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用結(jié)點溫度評估器件可靠性的案例分析
- 摘要：工程師在設(shè)計一款產(chǎn)品時用了一顆9A的MOS管，量產(chǎn)后發(fā)現(xiàn)壞品率偏高，經(jīng)重新計算分析后，換成了一顆5A的MOS管，問題解決。為什么用電流裕量更小的器件，卻能提高可靠性呢? 工程師在設(shè)計的過程中非常注意元器件性能上的裕量，卻很容易忽視熱耗散設(shè)計，案例分析我們放到最后說，為了幫助理解，我們先引入一個概念： 其中Tc為芯片的外殼溫度，P D為芯片在該環(huán)境中的耗散功率，Tj表示芯片的結(jié)點溫度，目前大多數(shù)芯片的結(jié)點溫度為150℃，Rjc表示芯片內(nèi)部至外殼的熱阻，Rcs
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一種無采樣電阻的功率器件保護(hù)方法
- MOSFET或IGBT保護(hù)方法有很多，有專門帶保護(hù)的驅(qū)動電路，也有用康銅絲做電流采樣的保護(hù)電路。專門帶保護(hù)的驅(qū)動電路一般成本較高，用康銅絲做電流采樣+比較器容易產(chǎn)生振蕩。下面介紹一種無采樣電阻的方法。 下面介紹一種無采樣電阻的方法： 上圖中，Q1是功率管MOSFET或IGBT，R1是負(fù)載，D1是采樣二極管，R2是上拉電阻。在Q1導(dǎo)通時D1的K極電壓就是Q1壓降，D1的A極電壓在其基礎(chǔ)上高了D1壓降(Q1壓降+D1壓降)。D1壓降是恒定值，當(dāng)過載時Q1壓降增大，從
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電源模塊并聯(lián)應(yīng)用的方法和注意事項
- 摘要：在電源系統(tǒng)設(shè)計中，當(dāng)一個電源模塊的功率無法滿足系統(tǒng)的設(shè)計要求時，我們往往會考慮多個模塊的并聯(lián)使用。如果并聯(lián)設(shè)計不合理，就會導(dǎo)致并聯(lián)模塊輸出均流失效，會有燒壞電源模塊、甚至損壞后級系統(tǒng)的風(fēng)險。今天跟大家簡單分享一些造成電源模塊并聯(lián)失效的真正原因。 目前電源系統(tǒng)的發(fā)展趨勢采用新型的功率器件實現(xiàn)小型、輕量、高效率的電源模塊化，通過并聯(lián)進(jìn)行擴容。電源并聯(lián)運行是電源產(chǎn)品模塊化、大容量化的一個有效方案，是電源技術(shù)發(fā)展的趨勢之一，是實現(xiàn)組合大功率電源系統(tǒng)的重點。 1.不
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三菱電機在PCIM亞洲展2015推介九款功率器件
- 三菱電機今年以“創(chuàng)新功率器件構(gòu)建可持續(xù)未來”為題，攜帶九款全新功率器件，于6月24至26日在上海世博展覽館舉行的PCIM亞洲展2015(展位號4A08)中隆重亮相。 今年展出的功率器件應(yīng)用范圍跨越五大領(lǐng)域，包括：工業(yè)傳動、光伏發(fā)電、變頻家電、軌道牽引及電動汽車，致力為客戶提供高性能及低損耗的產(chǎn)品。 工業(yè)及光伏發(fā)電市場 針對工業(yè)光伏逆變器市場的需要，三菱電機將展出四款新型功率模塊，包括第7代IGBT模塊、DIPIPM+模塊、4in1 T型三電平逆變器用IGBT模
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功率器件介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對功率器件的理解，并與今后在此搜索功率器件的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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