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功率半導(dǎo)體器件
功率半導(dǎo)體器件 文章 進(jìn)入功率半導(dǎo)體器件技術(shù)社區(qū)
使用MSO 5/6內(nèi)置AWG進(jìn)行功率半導(dǎo)體器件的雙脈沖測(cè)試
- _____我們將高功率SiC器件定義為處理1kV和100A范圍內(nèi)的器件，這相當(dāng)于100kW的功率。SiC晶體管處理和服務(wù)的高電壓、高電流和快速開關(guān)系統(tǒng)的性質(zhì)帶來(lái)了許多在普通5V或12V系統(tǒng)中不會(huì)出現(xiàn)的挑戰(zhàn)。例如：●? ?100A量級(jí)的電流會(huì)將印刷電路板 (PCB) 導(dǎo)線暴露為寄生電阻元件，從而產(chǎn)生顯著的IR壓降。●? ?1000V量級(jí)的電壓會(huì)使微小的寄生電容儲(chǔ)存大量電荷，從而在開關(guān)操作中導(dǎo)致顯著的功率損耗?！? ?SiC器件的快速開關(guān)能力使所有導(dǎo)
- 關(guān)鍵字： 功率半導(dǎo)體器件 雙脈沖測(cè)試 Qorvo SiC器件
充電頭里的中國(guó)機(jī)會(huì)
- 券商和基金最看好哪個(gè)半導(dǎo)體投資版塊？一定是功率半導(dǎo)體 [1]。今年年初，英飛凌、意法半導(dǎo)體、恩智浦等國(guó)際半導(dǎo)體大廠均對(duì)今年功率半導(dǎo)體有著高景氣的預(yù)期，2022 年全年產(chǎn)能已全部排滿。[2]任何電能轉(zhuǎn)換過(guò)程都需要功率半導(dǎo)體，沒有它，幾乎一切現(xiàn)代電子產(chǎn)品都將無(wú)法工作。但它并不像提供各種算力的 CPU、GPU、FPGA、ASIC 廣受關(guān)注，往往只是作為配角出現(xiàn) [3]。這一領(lǐng)域技術(shù)迭代迅速，競(jìng)爭(zhēng)激烈。在本文中，你將了解到：功率半導(dǎo)體分類，功率半導(dǎo)體技術(shù)細(xì)節(jié)，功率半導(dǎo)體發(fā)展歷史，功率半導(dǎo)體市場(chǎng)
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軌道交通“中國(guó)芯”永濟(jì)成功下線
- 本報(bào)訊12月14日，具有世界最先進(jìn)水平的首批最大功率IGBT產(chǎn)品在中國(guó)北車永濟(jì)電機(jī)公司成功下線。此舉標(biāo)志著，永濟(jì)電機(jī)公司已成為世界第四個(gè)、國(guó)內(nèi)第一個(gè)能夠封裝6500V以上電壓等級(jí)IGBT的廠家。這意味著我國(guó)在該產(chǎn)業(yè)上已與世界發(fā)達(dá)國(guó)家站在同一技術(shù)平臺(tái)上，自主研發(fā)IGBT芯片產(chǎn)業(yè)化的步伐進(jìn)一步加快。
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性能差異化功率器件制造面臨多重挑戰(zhàn)
- 不同應(yīng)用對(duì)功率半導(dǎo)體器件提出了新的需求，包括低功耗、高可靠性、高速度、小尺寸等，這些新的需求又對(duì)功率半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)工藝提出了種種新的挑戰(zhàn)。 天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司技術(shù)部部長(zhǎng)饒祖剛表示，性能不同的功率半導(dǎo)體器件滿足了差異化應(yīng)用的需求，而這些不同功率半導(dǎo)體器件對(duì)制造工藝提出了多重挑戰(zhàn)。 功率器件要滿足差異化應(yīng)用需求 功率半導(dǎo)體器件工作在大功率條件下，除了要具備低功耗的特點(diǎn)外，不同的應(yīng)用還提出了一些新需求。例如，在電動(dòng)車、混合動(dòng)力汽車這樣的應(yīng)用中，功率半導(dǎo)體器件需要
- 關(guān)鍵字： 功率半導(dǎo)體器件 低功耗 MOSFET
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功率半導(dǎo)體器件介紹
功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件，是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ)，也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。功率半導(dǎo)體器件的主要應(yīng)用領(lǐng)域是開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)與調(diào)速、UPS等等?！ 」β拾雽?dǎo)體器件是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ)，也是電力電子技術(shù)發(fā)展的“龍頭”。從1958 年美國(guó)通用電氣公司研制出世界上第一個(gè)工業(yè)用普通晶閘管開始， 電能的變換和控制從旋轉(zhuǎn) 的變流機(jī)組和靜止的離子變流器進(jìn)入由功率半導(dǎo)體器件構(gòu)成的變流器時(shí)代 [ 查看詳細(xì) ]
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