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        EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 制程技術(shù)

        中國(guó)半導(dǎo)體廠商因制程技術(shù)限制錯(cuò)失生成式AI紅利

        • 據(jù)日經(jīng)新聞(Nikkei)報(bào)道,中國(guó)半導(dǎo)體廠商(不含晶圓代工廠)的營(yíng)收在2024年達(dá)到269億美元,同比增長(zhǎng)21%,但這一增速仍低于全球半導(dǎo)體市場(chǎng)25%的整體增長(zhǎng)率。全球市場(chǎng)份額也從2023年的4.1%下降至2024年的3.9%。這一現(xiàn)象的背后,是美國(guó)對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體制造設(shè)備出口限制的持續(xù)升級(jí)。中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)目前主要依賴28納米及以上制程技術(shù)的成熟芯片生產(chǎn),而生成式AI所需的4納米及以下先進(jìn)制程芯片仍無法實(shí)現(xiàn)自主供應(yīng)。中芯國(guó)際雖已實(shí)現(xiàn)7納米制程,但這一技術(shù)節(jié)點(diǎn)仍無法滿足生成式AI對(duì)高性能芯片的需求。例如,NV
        • 關(guān)鍵字: 中國(guó)半導(dǎo)體  制程技術(shù)  生成式AI  

        一文看懂英特爾的制程工藝和系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)

        • 一文帶你看懂英特爾的先進(jìn)制程工藝和高級(jí)系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)的全部細(xì)節(jié)...  1.     制程技術(shù)Intel 18A 英特爾18A制程節(jié)點(diǎn)正在按既定計(jì)劃推進(jìn),首個(gè)外部客戶的流片工作將于2025年上半年完成。Intel 18A預(yù)計(jì)將在2025年下半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)爬坡,基于該制程節(jié)點(diǎn)的首款產(chǎn)品,代號(hào)為Panther Lake,將于2025年年底推出,更多產(chǎn)品型號(hào)將于2026年上半年發(fā)布?!居⑻貭栃缕拢褐匾暪こ虅?chuàng)新、文化塑造與客戶需求;英特爾發(fā)布2025年第一季度財(cái)報(bào)
        • 關(guān)鍵字: 英特爾  制程技術(shù)  系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)  EMIB  Foveros  Intel 18A  

        臺(tái)積電計(jì)劃于2028年投產(chǎn)下一代A14制程技術(shù)

        • 4月24日電,臺(tái)積電計(jì)劃在2028年開始生產(chǎn)A14芯片技術(shù),旨在保持芯片行業(yè)的領(lǐng)先地位。該技術(shù)將推動(dòng)這家全球最大芯片制造商超越其當(dāng)前最先進(jìn)的3納米制程,以及今年晚些時(shí)候?qū)⑼瞥龅?納米制程。臺(tái)積電還計(jì)劃在2026年末推出中間的A16制程。
        • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電  2028年  A14  制程技術(shù)  

        英特爾將在 2025 VLSI 研討會(huì)上詳解 18A 制程技術(shù)優(yōu)勢(shì)

        • 4 月 21 日消息,2025 年超大規(guī)模集成電路研討會(huì)(VLSI Symposium)定于 2025 年 6 月 8 日至 12 日在日本京都舉行,這是半導(dǎo)體領(lǐng)域的頂級(jí)國(guó)際會(huì)議。VLSI 官方今日發(fā)布預(yù)覽文檔,簡(jiǎn)要介紹了一系列將于 VLSI 研討會(huì)上公布的論文,例如 Intel 18A 工藝技術(shù)細(xì)節(jié)。相較于 Intel 3 制程,Intel 18A 節(jié)點(diǎn)在性能、能耗及面積(PPA)指標(biāo)上均實(shí)現(xiàn)顯著提升,將為消費(fèi)級(jí)客戶端產(chǎn)品與數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品帶來實(shí)質(zhì)性提升。英特爾聲稱,在相同電壓(1.1V)和復(fù)雜度條件下,I
        • 關(guān)鍵字: 英特爾  2025 VLSI  18A 制程技術(shù)  

        Intel 4制程技術(shù)細(xì)節(jié)曝光 具備高效能運(yùn)算先進(jìn)FinFET

        • 英特爾近期于美國(guó)檀香山舉行的年度VLSI國(guó)際研討會(huì),公布Intel 4制程的技術(shù)細(xì)節(jié)。相較于Intel 7,Intel 4于相同功耗提升20%以上的效能,高效能組件庫(kù)(library cell)的密度則是2倍,同時(shí)達(dá)成兩項(xiàng)關(guān)鍵目標(biāo):它滿足開發(fā)中產(chǎn)品的需求,包括PC客戶端的Meteor Lake,并推進(jìn)先進(jìn)技術(shù)和制程模塊。 英特爾公布Intel 4制程的技術(shù)細(xì)節(jié)。對(duì)于英特爾的4年之路,Intel 4是如何達(dá)成這些效能數(shù)據(jù)? Intel 4于鰭片間距、接點(diǎn)間距以及低層金屬間距等關(guān)鍵尺寸(Critic
        • 關(guān)鍵字: Intel 4  制程技術(shù)  FinFET  Meteor Lake  

        ST BCD制程技術(shù)獲頒IEEE里程碑獎(jiǎng) 長(zhǎng)跑35年第十代即將量產(chǎn)

        • 意法半導(dǎo)體(ST)宣布,電機(jī)電子工程師學(xué)會(huì)(Institute of Electrical and Electronics Engineering,IEEE)授予意法半導(dǎo)體IEEE里程碑獎(jiǎng),表彰ST在超級(jí)整合硅閘半導(dǎo)體制程技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新研發(fā)成果。ST的BCD技術(shù)可以單芯片整合雙極制程高精密模擬晶體管、CMOS制程高性能數(shù)字開關(guān)晶體管和高功率DMOS晶體管,滿足高復(fù)雜度、大功率應(yīng)用的需求。多年來,BCD制程技術(shù)已賦能硬盤驅(qū)動(dòng)器、打印機(jī)和汽車系統(tǒng)等終端應(yīng)用獲得重大技術(shù)發(fā)展。在意法半導(dǎo)體Agrate工廠的實(shí)時(shí)/
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        5納米明年首季量產(chǎn) 臺(tái)積電:全球最先進(jìn)

        • 晶圓代工廠臺(tái)積電對(duì)先進(jìn)制程技術(shù)發(fā)展深具信心,業(yè)務(wù)開發(fā)副總經(jīng)理張曉強(qiáng)表示,5納米制程明年第1季量產(chǎn),仍會(huì)是全世界最先進(jìn)的制程技術(shù)。
        • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電  5nm  制程技術(shù)  

        IBM針對(duì)RF芯片代工升級(jí)制程技術(shù)

        • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
        • 關(guān)鍵字: IBM  RF芯片  代工升級(jí)  制程技術(shù)  SiGe  SOI  

        Intel 2013年第四季度轉(zhuǎn)向15nm制程技術(shù)?

        •   在上周舉辦的IDF2009秋季開發(fā)者論壇上,Intel曾提到會(huì)在2011年下半年開始使用22nm制程技術(shù),而其后的下一步目標(biāo)則將是15nm制程技術(shù)。而對(duì)手AMD的代工公司Globalfoundries則會(huì)在2012年啟用22nm制程技術(shù),兩年后的2014年他們計(jì)劃轉(zhuǎn)向15nm制程。盡管有 科學(xué)家聲稱15nm制程技術(shù)尚處在研發(fā)階段,有關(guān)的制造工具甚至都還沒有開發(fā)出來,不過按照Intel“tick-tock”的進(jìn)程推算,預(yù)計(jì)Intel 啟用15nm制程技術(shù)的年份會(huì)在2013年左右。
        • 關(guān)鍵字: Intel  15nm  22nm  制程技術(shù)  

        臺(tái)積電0.18微米晶圓制程技術(shù)登陸案獲準(zhǔn)

        •     臺(tái)灣“經(jīng)濟(jì)部投審會(huì)”委員會(huì)議 通過臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司申請(qǐng)將其上海廠晶圓制程技術(shù)提升為零點(diǎn)一八微米以上申請(qǐng)案。這是臺(tái)灣方面去年底開放零點(diǎn)一八微米晶圓制程登陸后首宗獲準(zhǔn)投資案。   “中央社”報(bào)道,臺(tái)灣有關(guān)方面去年底宣布開放零點(diǎn)一八微米晶圓制程赴大陸投資,唯一獲準(zhǔn)在大陸投資設(shè)立八吋、零點(diǎn)二五微米晶圓廠的臺(tái)積電率先提出提升制程申請(qǐng)。   臺(tái)積電早于二00五年一月即向當(dāng)局提出赴大陸投資零點(diǎn)一八微米制程申請(qǐng),當(dāng)局直至去年底政策才正式松綁。臺(tái)積電遂補(bǔ)件申請(qǐng)。   二十日
        • 關(guān)鍵字: 0.18微米晶圓  單片機(jī)  嵌入式系統(tǒng)  臺(tái)積電  制程技術(shù)  其他IC  制程  
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        制程技術(shù)介紹

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