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光刻行業(yè)遭雙重打擊下一代技術面臨難題

　　曾經看來大有希望的遠紫外(EUV)光刻技術面臨著重重困難，193納米沉浸式技術似乎成為了必然的選擇，但成本高昂，而且很難延伸到16納米節(jié)點以下。半導體光刻工藝正面臨著技術和成本方面的雙重壓力。　　半導體光刻工藝面臨技術和成本壓力　　光刻行業(yè)正遭到雙重打擊：對用于集成電路生產的遠紫外光刻技術而言，機會窗口在慢慢關閉；而最有希望的一項替代技術即193納米沉浸式光刻技術卻成本高昂，于是行業(yè)陷入一片混亂當中。成本增加會對芯片尺寸的繼續(xù)縮小帶來嚴重的影響。　　在近期國際
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