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基于SOI和體硅的FinFET對(duì)比研究

隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向22納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)外觀的發(fā)展，一些制造商正在考慮從平面CMOS晶體管向三維（3D）FinFET器件結(jié)構(gòu)的過(guò)渡。相對(duì)于平面晶體管，F(xiàn)inFET元件提供更好的渠道控制，因此，降低短通道效應(yīng)。當(dāng)平面晶體管的柵極在溝道之上，F(xiàn)inFET的柵極環(huán)繞溝道，從雙向提供靜電控制。
關(guān)鍵字： SOI 體硅 FinFET

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