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Nexperia與KYOCERA AVX Salzburg合作為功率應用生產(chǎn)650 V碳化硅整流二極管模塊
- 奈梅亨，2023年11月6日：基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布與國際著名的先進電子器件供應商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH建立合作關(guān)系，共同生產(chǎn)新的650 V、20 A碳化硅（SiC）整流器模塊，適用于3 kW至11 kW功率堆棧設計的高頻電源應用，以滿足工業(yè)電源、EV充電站和板載充電器等應用的需要。此次發(fā)布將進一步加深雙方長期以來保持的緊密合作關(guān)系。 制造商對下一代功率應用的關(guān)鍵需求是節(jié)省空間和減輕
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能實現(xiàn)更高的電流密度和系統(tǒng)可靠性的IGBT模塊
- 隨著全球?qū)稍偕茉吹娜找骊P(guān)注以及對效率的需求，高效率，高可靠性成為功率電子產(chǎn)業(yè)不斷前行的關(guān)鍵。Nexperia（安世半導體）的 IGBT 產(chǎn)品系列優(yōu)化了開關(guān)損耗和導通損耗, 兼顧馬達驅(qū)動需求的高溫短路耐受能力，實現(xiàn)更高的電流密度和系統(tǒng)可靠性。自推出以來，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）由于其高電壓、大電流、低損耗等優(yōu)勢特點，被廣泛應用于馬達驅(qū)動，光伏，UPS，儲能，汽車 等領(lǐng)域。變頻器變頻器由于“節(jié)能降耗”等優(yōu)勢，廣泛的使用在電機驅(qū)動的各個領(lǐng)域。讓我們先來走進變頻器，看看變頻器的典型電路?！敖弧薄弧彪娐?/li>
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Nexperia超低結(jié)電容ESD保護二極管保護汽車數(shù)據(jù)接口
- 基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia近日宣布擴展其超低電容ESD保護二極管產(chǎn)品組合。該系列器件旨在保護汽車信息娛樂應用的USB、HDMI、高速視頻鏈路和以太網(wǎng)等接口的高速數(shù)據(jù)線路。此次新增器件包括PESD18VF1BLS-Q、PESD24VF1BLS-Q、PESD30VF1BLS-Q和PESD32VF1BLS-Q，均采用DFN1006BD-2封裝，可在汽車生產(chǎn)線中通過側(cè)邊爬錫進行光學檢測。此外，PESD18VF1BBL-Q、PESD24VF1BBL-Q和PESD30VF1BBL-Q還提供緊湊
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Nexperia雙通道500 mA RET可在空間受限的應用中實現(xiàn)高功率負載開關(guān)
- 基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布新推出全新的500 mA雙通道內(nèi)置電阻晶體管(RET)系列產(chǎn)品，均采用超緊湊型DFN2020(D)-6封裝。新系列器件適用于可穿戴設備和智能手機中的負載開關(guān)，也可用于功率要求更高的數(shù)字電路。例如空間受限的計算、通信、工業(yè)和汽車應用。值得注意的是，DFN封裝的RET采用雙重空間節(jié)省方案，可加倍提高空間利用率。首先，通過將雙極性晶體管(BJT)和電阻巧妙地集成到單一封裝中，可節(jié)省大量電路板空間。此外，無引腳DFN封裝本身的空間效益較高。這種集成和封裝有
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Nexperia設定2035年碳中和目標
- Nexperia總部位于荷蘭，是一家擁有60多年歷史且發(fā)展迅速的全球性半導體企業(yè)。公司年產(chǎn)量超過1000億件，Nexperia深知自身對保護環(huán)境應承擔的社會責任。今年五月，Nexperia發(fā)布了其首份可持續(xù)發(fā)展報告，其中針對公司的環(huán)境影響、社會責任、增長目標以及其作為國際行業(yè)領(lǐng)導者的重要角色進行了評估。今天，Nexperia自豪地宣布其實現(xiàn)碳中和的預期目標，同時秉持公開透明的原則，并采取問責制度。Nexperia致力于到2035年在其直接運營排放（范圍1）和為運營采購能源而產(chǎn)生的間接排放（范圍2）方面實現(xiàn)
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Nexperia B.V.在Morningstar Sustainalytics的ESG風險評級中達到18.7分，打下堅實基礎
- 基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia于2023年7月在Morningstar Sustainalytics的ESG風險評級中取得了18.7分的優(yōu)異成績，達到了新的重要里程碑。這是Nexperia首次參與ESG風險評級，在全球半導體設計和制造子行業(yè)的221家評估實體中排名前11%，這一優(yōu)異表現(xiàn)也使其順利躋身于知名企業(yè)前列。 Morningstar Sustainalytics對Nexperia在環(huán)境、社會和治理(ESG)方面的表現(xiàn)進行綜合評估，認為Nexperia遭
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Nexperia擴展產(chǎn)品組合，率先推出集成式5 V負載開關(guān)
- 基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布推出負載開關(guān)產(chǎn)品系列，進一步擴充其模擬和邏輯產(chǎn)品組合。NPS4053是本次產(chǎn)品發(fā)布的主角，這是一款高密度集成電路(IC)，憑借小巧的尺寸提供優(yōu)異的系統(tǒng)保護性能，可幫助提高系統(tǒng)可靠性，保障系統(tǒng)安全。該器件經(jīng)過優(yōu)化升級，適合應用于便攜式設備（如筆記本電腦）、臺式電腦、擴展塢和車載信息娛樂系統(tǒng)。 負載開關(guān)是各種現(xiàn)代電子系統(tǒng)正常工作必不可少的器件。這些開關(guān)在以受控方式管理從電源到負載的電流/電壓方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用。在典型的電源鏈中，NPS405
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IGBTs給高功率帶來了更多的選擇
- 絕緣柵雙極性晶體管（IGBT）面市已有些時日，事實上，通用電氣（GE）早在1983年6月就發(fā)布了其首款I(lǐng)GBT產(chǎn)品。從那時起，IGBT成為了中壓和高壓（>200 V ）應用的主要器件，包括供暖通風與空氣調(diào)節(jié)（HVAC）系統(tǒng)以及電焊和感應加熱等高電流應用。隨著太陽能面板、電動汽車充電器和工業(yè)伺服電機的日益普及，市場對高壓解決方案的需求也在不斷攀升。為了滿足各個行業(yè)的需求，并進一步完善持續(xù)擴大的高壓技術(shù)產(chǎn)品組合（GaN和SiC），Nexperia （安世半導體）正在推出多個 IGBT系列，首先便是600
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Nexperia率先推出紐扣電池壽命和功率增強器
- 基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布推出NBM7100和NBM5100。這兩款I(lǐng)C采用了具有突破意義的創(chuàng)新技術(shù)，是專為延長不可充電的典型紐扣鋰電池壽命而設計的新型電池壽命增強器，相比于同類解決方案，可將該類電池壽命延長10倍，與未使用電池增強器的典型紐扣電池相比，使用該增強器還可將電池的峰值輸出電流能力提高至25倍。大幅延長工作壽命意味著低功率物聯(lián)網(wǎng)(IoT)和其他便攜式應用中的廢舊電池數(shù)量將顯著減少，同時，過去只能由AA-或AAA-電池提供動力的應用也有望改用紐扣電池。 &
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Nexperia擴充NextPower 80/100 V MOSFET產(chǎn)品組合的封裝系列
- 奈梅亨，2023年6月21日：基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布擴充NextPower 80/100 V MOSFET產(chǎn)品組合的封裝系列。此前該產(chǎn)品組合僅提供LFPAK56E封裝，而現(xiàn)在新增了LFPAK56和LFPAK88封裝設計。這些器件具備高效率和低尖峰特性，適用于通信、服務器、工業(yè)、開關(guān)電源、快充、USB-PD和電機控制應用。 長期以來，品質(zhì)因數(shù)Qg*RDSon一直是半導體制造商提高MOSFET開關(guān)效率的重點。然而，一味地降低該品質(zhì)因數(shù)導致產(chǎn)生了意外后果
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Nexperia首創(chuàng)交互式數(shù)據(jù)手冊，助力工程師隨時隨地分析MOSFET行為
- 奈梅亨，2023年5月11日：基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出與功率MOSFET配套使用的新一代交互式數(shù)據(jù)手冊，大幅提升了對半導體工程師的設計支持標準。通過操作數(shù)據(jù)手冊中的交互式滑塊，用戶可以手動調(diào)整其電路應用的電壓、電流、溫度和其他條件，并觀察器件的工作點如何動態(tài)響應這些變化。 這些交互式數(shù)據(jù)手冊使用Nexperia的高級電熱模型計算器件的工作點，可有效地為電路仿真器提供一種圖形用戶界面。此外，工程師借助這些交互式數(shù)據(jù)手冊可以即時查看柵極電壓、漏極電流、RDS(o
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Nexperia推出支持低壓和高壓應用的E-mode GAN FET
- 奈梅亨，2023年5月10日：基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應用的E-mode（增強型）功率GaN FET。Nexperia在其級聯(lián)型氮化鎵產(chǎn)品系列上增加了七款新型E-mode器件，從GaN FET到其他硅基功率器件，Nexperia豐富的產(chǎn)品組合能為設計人員提供最佳的選擇。 Nexperia的新產(chǎn)品包括五款額定電壓為650 V的E-mode GaN FET（RDS(on)值介于80 mΩ至19
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Nexperia 聘請經(jīng)紀公司出售Newport晶圓廠
- Newport 晶圓廠擁有每月超過 35,000 個 200mm 晶圓的制造能力。
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Nexperia推出先進的I2C GPIO擴展器產(chǎn)品組合
- 基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布推出全新16通道I2C通用輸入輸出(GPIO)擴展器產(chǎn)品組合，旨在提高電子系統(tǒng)的靈活性和重復利用能力。其中一款GPIO擴展器NCA9595采用可通過寄存器配置的內(nèi)部上拉電阻，可根據(jù)實際需要自定義以優(yōu)化功耗。當需要擴展I/O數(shù)量時，利用該產(chǎn)品組合可實現(xiàn)簡潔的設計，同時盡可能減少互連。這有助于設計工程師增添新功能，而且不會增加PCB設計復雜性和物料成本。 隨著服務器、汽車、工業(yè)、醫(yī)療和物聯(lián)網(wǎng)(IoT)的發(fā)展，需要通過微控制器進行監(jiān)測的傳感器信
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Nexperia針對嚴苛的電源轉(zhuǎn)換應用 推出650V碳化硅二極管
- 奈梅亨，2023年4月20日：基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布推出650 V碳化硅(SiC)肖特基二極管，主要面向需要超高性能、低損耗和高效率的電源應用。10 A、650 V SiC肖特基二極管滿足工業(yè)級器件標準，可應對高電壓和高電流應用帶來的挑戰(zhàn)，包括開關(guān)模式電源、AC-DC和DC-DC轉(zhuǎn)換器、電池充電基礎設施、不間斷電源和光伏逆變器，并提高持續(xù)運行性能。例如，相比僅使用硅基解決方案的數(shù)據(jù)中心，配備采用Nexperia PSC1065K SiC肖特基二極管設計電源的數(shù)
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