* 4n數(shù)據(jù)預(yù)取

　　DDR SDRAM的數(shù)據(jù)預(yù)取能力是2，即芯片內(nèi)部能以2倍于時鐘運行的速度預(yù)取數(shù)據(jù)，從而使得芯片內(nèi)核工作頻率僅需要為外部數(shù)據(jù)傳輸率的一半。DDR2 SDRAM的數(shù)據(jù)預(yù)取能力是4，即芯片內(nèi)核工作頻率僅需要為外部數(shù)據(jù)傳輸率的1/4。而對于SDRAM，芯片內(nèi)核工作頻率等于外部數(shù)據(jù)傳輸速率。所以在同樣的內(nèi)核頻率下，DDR SDRAM的數(shù)據(jù)傳輸速率比SDRAM高一倍，而DDR2 SDRAM的數(shù)據(jù)傳輸率比DDR SDRAM又高一倍。

　　例如，DDR2和DDR1 SDRAM的外部數(shù)據(jù)傳輸率都為400Mb/s的情況下，對于DDR2 SDRAM而言，其內(nèi)核工作頻率僅需要為100MHz，而對于DDR SDRAM，其內(nèi)核工作頻率需要為200MHz，如果是SDRAM，則其內(nèi)核頻率要求為400MHz，正是因為如此高的內(nèi)核頻率無法在技術(shù)上實現(xiàn)，因而SDRAM的數(shù)據(jù)傳輸率無法達到400Mb/s。

　　利用這項技術(shù)，DDR2 SDRAM可以在不提高內(nèi)核工作頻率的前提下(即無需對芯片做大的技術(shù)革新)，大大提高外部數(shù)據(jù)傳輸速率，從而獲得更高的性能。值得提及的是，目前正在研發(fā)的DDR3 SDRAM技術(shù)，其數(shù)據(jù)傳輸率比DDR2 SDRAM又有大幅度提高，其并不是源于技術(shù)上的巨大變革，而是因為采用了8n數(shù)據(jù)預(yù)取技術(shù)。

　　根據(jù)數(shù)據(jù)傳輸速率的不同，DDR SDRAM有如下系列：266Mb/s,333Mb/s, 400Mb/s，而DDR2 SDRAM有如下系列：400Mb/s,533Mb/s, 667Mb/s,800Mb/s, 1066Mb/s?？梢钥闯觯珼DR2 SDRAM直接從DDR SDRAM的最高的數(shù)據(jù)傳輸率起步，最高可以達到1066Mb/s以上，該性能的大幅提升，正是利用了這種4倍數(shù)據(jù)預(yù)取技術(shù)。

　　圖5提供了DDR SDRAM和DDR2 SDRAM的數(shù)據(jù)預(yù)取框圖以便比較。

　　圖5 16位存儲芯片的數(shù)據(jù)預(yù)取框圖

　　* 差分DQS/DQS#信號

　　DDR SDRAM采用單端DQS信號。

　　如前文所述，目前廣泛應(yīng)用的DDR2 SDRAM，數(shù)據(jù)傳輸率最高已經(jīng)達到1066Mbit/s，即DQS和DQ的變化率都將達到一秒鐘1066M次，其中，DQS作為數(shù)據(jù)信號DQ的采樣參考源，如果采用單端信號已經(jīng)不足以保證其在高速變化時的信號完整性。