采用三個(gè)整流二極管的低成本電源

　　也可以用三個(gè)正向串聯(lián)開關(guān)二極管降壓為MCU供電(圖2)。這比齊納二極管穩(wěn)壓器更經(jīng)濟(jì)。這種電路吸入的電流比用齊納二極管要小。根據(jù)所選二極管正向壓降是流經(jīng)二極管電流的函數(shù)。電阻R1保持MCU的VDD電壓不超過最小負(fù)載(當(dāng)MCU處于復(fù)位或休眠狀態(tài)時(shí))時(shí)的最大VDD。所選二極管D1-D3必須在最大負(fù)載(MCU處于運(yùn)行狀態(tài))時(shí)跨接在D1-D3上的壓降足夠小，以滿足MCU最小VDD要求。

　　采用開關(guān)穩(wěn)壓器的電源方案

　　圖3所示降壓開關(guān)穩(wěn)壓器是一種電感器基變換器，用于降壓輸入電壓源到較低的輸出電壓?？刂芃OSFET Q1的導(dǎo)通時(shí)間可實(shí)現(xiàn)輸出調(diào)整。由于MOSFET是處于低或高電阻狀態(tài)(分別為ON或OFF)，所以高的源電源可以非常有效地變換到較低的輸出電壓。

　　在Q1兩個(gè)狀態(tài)(ON和OFF)期間平衡電感器的電壓一時(shí)間可以建立輸入和輸出之間的關(guān)系：

　　(VS-VO)×ton=VO×(T-ton)

　　其中T=ton/Duty-Cycle

　　MOSFET Q1占空比為：

　　Duty-CycleQ1=VO/VS

　　電感器值的選擇原則是：所選其數(shù)值使在電感器中所產(chǎn)生的最大峰一峰值紋波電流等于最大負(fù)載電流的10%：

　　V=L×(di/dt)

　　L=(VS-VO)×(ton/IO×0.10)

　　選擇輸出電容器值的原則是：置LC濾波器特性阻抗等于負(fù)載阻抗。這使得工作在滿載和負(fù)載突然去除時(shí)所產(chǎn)生的電壓過沖在可接受的范圍內(nèi)。

　　ZO=

　　C=L/R2=(IO2×L)VO2

　　D1二極管選擇原則是：所選器件有足夠的電流額定值來處理脈沖周期放電期間的電感電流。(冰）