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        低頻磁發(fā)射器設(shè)計(jì)(06-100)

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        作者: 時(shí)間:2008-04-07 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

          為了提高波特率,必須加速導(dǎo)通和關(guān)閉響應(yīng),圖4是實(shí)現(xiàn)上述目的的改進(jìn)電路,在此電路中采用全橋結(jié)構(gòu),并加入嵌位電路。全橋電路能加速上升時(shí)間,當(dāng)幅度上升至滿幅時(shí),電路仍處于全橋結(jié)構(gòu)。例如采用TC442 FET驅(qū)動(dòng)電路,上升時(shí)間僅為40ms,比半橋式120ms快了很多。嵌位電路使用一個(gè)雙向可控硅器件,在驅(qū)動(dòng)電路關(guān)閉時(shí)讓諧振回路放電,雙向可控硅通常在零電壓處點(diǎn)火,可減少EMI輻射。嵌位電路還有一個(gè)好處,就是能取消AGC電路,從而簡(jiǎn)化接收器的設(shè)計(jì)。


          
          電路實(shí)例

        本文引用地址:http://www.antipu.com.cn/article/81245.htm

          實(shí)際驅(qū)動(dòng)電路(圖4)由TC4422(U2)和TC4421(U3)組成,U3是倒相放大器,U2則是同相放大器。U3是主要半橋驅(qū)動(dòng)器件,U2僅在導(dǎo)通時(shí)使用。在導(dǎo)通的前5個(gè)周期,U2和U3圖騰結(jié)構(gòu)用作全橋驅(qū)動(dòng)電路,此時(shí)U2和U3通過(guò)RB3由PWM電路輸出驅(qū)動(dòng),RB4則用作輸入,因而對(duì)U2輸入信號(hào)沒(méi)有任何影響。在5個(gè)初始周期后,驅(qū)動(dòng)器轉(zhuǎn)換 為半橋結(jié)構(gòu),這是通過(guò)將RB4從輸入改變?yōu)榈碗娖?零電平)輸出實(shí)現(xiàn)的。這對(duì)U3工作沒(méi)有影響,而將U2接地。當(dāng)不需要快速上升時(shí)間時(shí),也可以省掉U2,以增加電路的效率。

          驅(qū)動(dòng)信號(hào)直接用PIC微控制器的PWM單元產(chǎn)生,本設(shè)計(jì)使用PIC 16F628,時(shí)鐘頻率20MHz,為了得到125KHz工作頻率,只需將其定時(shí)器2預(yù)定標(biāo)為1,設(shè)定PR2寄存器為39,就可得到8ms周期信號(hào)。要想獲得50%空度比的輸出,將CCPR1L設(shè)置為14,CCP1CON從<5:4>設(shè)置為<0:0>。
        串行通信由PIC 16F628 的UART實(shí)現(xiàn),電平變換則用MAX232完成。CTS和RTS數(shù)據(jù)控制分別通過(guò)RB6和RB5輸入。

          結(jié)語(yǔ)

          技術(shù)多用于射頻標(biāo)識(shí)和數(shù)據(jù)采集傳輸,而最近有報(bào)道,日本一家公司為了提高集成電路內(nèi)部數(shù)據(jù)傳輸速度,在芯片內(nèi)層與層之間采用無(wú)線傳輸技術(shù),使用的正是技術(shù),這為應(yīng)用揭開(kāi)了新的篇章。(東華)


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        關(guān)鍵詞: LFMC 低頻磁 發(fā)射器 磁耦合

        評(píng)論


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