采用0.13微米CMOS工藝制造的單芯片UMTS W-CDMA多頻段收發(fā)器(06-100)
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作者：Infineon公司R. Koller, T. Ruhlicke, D. Pimingsdorfer, B. Adler
時間：2008-04-03
來源：電子產品世界
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如果被用于多模環(huán)境，該收發(fā)器可作為功耗最低的前端控制中心，以及活動的備用收發(fā)器(例如GSM收發(fā)器)。其實現方式是：激活一個特殊的工作模式，該模式可關閉發(fā)射和接收功能，從而實現功耗最小化，并且對所有6個前端控制輸出引腳進行仲裁設置。
本文引用地址：http://www.antipu.com.cn/article/81180.htm該芯片采用非常袖珍的無引腳封裝技術—PG-WFSGA-81-1 (超細間距半球珊陣列)，面積僅為5×5毫米，最大高度為0.8毫米。球珊間距為0.5毫米。
分數型頻率合成器
接收器和發(fā)射器都集成了參考頻率為26MHz的分數型頻率合成器，同時搭載了參考電阻器。較低的帶內相噪，為使用更寬的PLL環(huán)路帶寬(目的是全面集成環(huán)路濾波器)創(chuàng)造了條件，因此可最大限度減少外部組件的數量。要覆蓋所有的工作頻段(包括附加的頻率容限)，在4GHz頻段工作的差分VCO有一個很寬的調諧范圍，它被劃分為256個VCO頻段?？梢酝ㄟ^在VCO RF輸出端口激活一個附加的二分頻器以支持UMTS頻段V和頻段VI。相應的VCO頻段由內部的標定算法進行選擇，該算法將在PLL被啟動或者一個新的頻點被設定時被觸發(fā)。同時，進一步的校準可最大限度降低PLL的偏變，例如環(huán)路濾波器拐角頻率的離散等。
圖2顯示了混頻器相噪模擬量。
超低帶內相噪是實現接收器和發(fā)射器誤差向量幅度(EVM)最小化的重要基礎。
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