應用降壓轉(zhuǎn)換控制器建立高性能多路輸出開關(guān)電源(06-100)
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下端場效應管的柵極損耗(PQl-2_GATE)也可由此近似公式得到：
本文引用地址：http://www.antipu.com.cn/article/81142.htm
下端場效應管在導通時的損耗為：
在死區(qū)時間內(nèi)Q1-2的損耗是在它寄生二極管上的傳導損耗(PQl-2_D)：
其中tDEAD是電源控制芯片上下端場效應管驅(qū)動的死區(qū)時間。SC2463的死區(qū)時間約為100ns。
Q2總損耗(PQ2)是它的柵極損耗、傳導損耗、開關(guān)損耗和寄生二極管傳導損耗的總和。以圖1為例，F(xiàn)DS6898A上下端導通內(nèi)阻都是14mΩ，整 個FDS6898損耗為0.34W。
場效應管的結(jié)溫可由下式計算：
從FDS6898A手冊上可查到它最大的結(jié)溫至室溫熱阻是78~C/W(qJA)，如果圖1電源環(huán)境最高溫度是450℃，那么Q1工作結(jié)溫(TQ1_ J)為72℃(45+78×0.34)。這溫度遠小于FDS6898A 150℃的結(jié)溫限制。這里假設Q1被直接焊在二盎司銅層和一平方英寸面積的PCB散熱焊盤上。如果需要更進一步降低Q1的結(jié)溫，可以增加PCB散熱焊盤面積或?qū)1套上外加的散熱器。另外，芯片到散熱焊盤的焊接，封裝芯片材料，熱接觸面，熱結(jié)合性能，可得到的有效散熱區(qū)域和環(huán)境空氣流動狀況(自然或強制對流)都對場效應管晶片的溫升都有很大的關(guān)系。實際溫度的測量和驗證是場效應管熱設計的關(guān)鍵。
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