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        Hittite Microwave發(fā)布兩款無源GaAs MESFET I/Q混頻器

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        作者: 時間:2008-01-03 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

           公司日前發(fā)布兩款用于頻率范圍為3~7GHz的點對點無線電、WiMAX基礎設施、測試裝置和軍事應用的無源GaAs MESFET 。

          HMC620LC4是一個可在3~7GHz頻率范圍內(nèi)提供32dB鏡像抑制、43dB LO至RF隔離度以及+22dBm穩(wěn)定輸入IP3性能的無源/IRM。這個經(jīng)過精心設計的雙平衡集成電路可確保出色的振幅和相位平衡,同時將變頻損耗限制在標稱值8dB。HMC620是一個工作頻率范圍相同的緊湊型芯片混頻器,可提供33dB的鏡像抑制、45dB的LO至RF隔離度以及+23dBm的輸入IP3性能。這兩款混頻器都具有DC~3.5GHz的出色中頻帶寬,可以用作鏡像抑制混頻器或單邊帶上變頻器。

          HMC620LC4采用符合RoHS指令的4



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