非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation宣布擴展其非易失性狀態(tài)保存器系列，推出4位狀態(tài)保存器，以4位 F-RAM技術(shù)為基礎(chǔ)，無需耗電即可保存邏輯狀態(tài)，并在上電時自動恢復(fù)輸出。任何狀態(tài)改變均會自動記錄在非易失性的鐵電鎖存內(nèi)，這是因為F-RAM存儲器技術(shù)具備獨特的高速寫入能力和低功耗特性，以及極高的耐用性。

　　FM111x 4位狀態(tài)保存器目前有三款產(chǎn)品：即工作電壓為5V的FM1110；以及工作電壓為3V的FM1112 和FM1114。FM111x系列的操作類似傳統(tǒng)的邏輯構(gòu)件，使用起來就像雙鎖存或D型觸發(fā)器一樣簡單，但在斷電時可自動存儲和保持邏輯狀態(tài)，從而簡化系統(tǒng)控制功能在各種應(yīng)用中的設(shè)計，包括開關(guān)接口、轉(zhuǎn)換寄存器、繼電器驅(qū)動器、LED驅(qū)動器、錯誤標(biāo)記記錄、掉電狀態(tài)檢測、防拆指示器、開門指示器、電機開/關(guān)控制、替換撥碼開關(guān)、替換跳線器及其它非易失性邏輯電路。FM1114的獨特之處在于具有低于.5µA的超低待機電流，因而適用于便攜式、電池供電及低功耗應(yīng)用，如八進制鎖存和非易失性計數(shù)器等。

　　Ramtron技術(shù)市務(wù)總監(jiān)Craig Taylor稱：“FM111x是2位狀態(tài)保存器的自然擴展，專為應(yīng)用需要更多數(shù)據(jù)的客戶而開發(fā)。4位狀態(tài)保存器是不斷演變的真正創(chuàng)新產(chǎn)品系列中的第二個產(chǎn)品線，F(xiàn)-RAM技術(shù)具備高速寫入、低功耗和幾乎無限的耐用性，因而使到這一功能能夠?qū)崿F(xiàn)?！?/P>

　　這種低功耗非易失性狀態(tài)保存器是一個邏輯構(gòu)件，無需讀取存儲器就可以對非易失性系統(tǒng)設(shè)置進行連續(xù)存取。它能夠存儲變化頻繁而毋須預(yù)先通知的信號，還可以在無需增加串行存儲器系統(tǒng)開銷的情況下，對系統(tǒng)設(shè)置進行非易失性存儲。