富士通在2007年5月16日開幕的“第10屆嵌入系統(tǒng)開發(fā)技術展（ESEC）”上，參考展出了配備強電介質內置內存（FeRAM，鐵電內存）的通用8bit微控制器。評測用芯片“MB95RV100”近日即可供應，計劃2008年前后量產供貨。CPU內核采用“F2MC-8FX”，工作頻率為10MHz。首先面向密鑰數(shù)據(jù)的保存用途投放市場。  

配備FeRAM的微控制器最初只應用于數(shù)據(jù)保存區(qū)域（原有微控制的RAM部分）。程序保存區(qū)域預定以掩膜ROM的形式提供。產品系列計劃對于數(shù)據(jù)保存用途推出FeRAM分別為4KB、12KB、32KB的3種產品，對于程序保存用途推出掩膜ROM分別為16KB、32KB、48KB的3種產品。  

在微控制器上配備FeRAM時，從原理上說，能夠實現(xiàn)ROM/RAM區(qū)域的共享，設計人員可自由設定ROM和RAM各自的分配容量，此次的量產產品將采用掩膜ROM。但此次展出的評測用芯片方面，ROM和RAM均采用的是FeRAM。  

富士通表示，配備FeRAM的微控制器量產產品的成本可達到與內置閃存的微控制器同等水平。內置閃存的微控制器方面，需要配備用于向閃存寫入信息的升壓電路，而FeRAM則不需要該電路，因此，在地址空間狹小且ROM/RAM容量小的8bit微控制器等領域，除寫入時間快這一原本就具有的優(yōu)點外，F(xiàn)eRAM還有成本方面的優(yōu)勢。不過，在內存單元方面，F(xiàn)eRAM的尺寸要比閃存大。因此，像32bit微控制器這樣需要配備大容量ROM/RAM的用途方面，“仍然是內置閃存的微控制器更具優(yōu)勢”（富士通）。  

富士通的FeRAM此前已應用于面向非接觸IC卡等特定用途的ACIC等，在通用微控制器上配備FeRAM還是首次。