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        品佳集團積極推廣 NXP高效能超低噪聲的微波晶體管

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        作者: 時間:2007-05-10 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

          近期積極推廣高效能超低噪聲的,高頻應用(20GHz以下)的NPNBFU725F 可提供極佳的高切換頻率、高增益和低噪聲等組合性能。藉由其超低的噪聲系數(shù),非常適用于敏感度高的 RF module 及 High performance mobile phones;此外,其高切換頻率的特色可用作 10GHz ~ 30GHz 之微波應用如衛(wèi)星電視接收器及汽車防撞雷達的解決方案。

          BFU725F 采用了創(chuàng)新的硅鍺碳 (SiGe:C) BiCMOS制程–QUBiC4X,這是專門為符合現(xiàn)實生活中的高頻應用要求所設計的,可提供優(yōu)越的高功率增益及動態(tài)范圍組合性能,這個晶體管可謂將砷化鎵 (GaAs) 的性能及硅鍺碳的可靠性結(jié)為一體,但不需像使用砷化鎵組件時還要再增加負偏置電壓 (negative biasing voltages)的設計,所以在產(chǎn)品應用上更能為客戶帶來成本效益,此產(chǎn)品目前巳有樣品可提供申請,預計于2007年第三季可量產(chǎn)供貨。

         

        Key Features
        ‧Very low noice of 0.69dB at 6GHz
        ‧High Maximum stable gain (Gms) 27.8dB at 1.8GHz
        ‧High switching frequency – fT > 100GHz, fmax > 150GHz
        ‧Plastic surface mounted package, SOT343F

        Key Benefits
        ‧Very low noise of 0.4dB at 1.8GHz
        ‧High gain of 10dB at 18GHz
        ‧SiGe:C process ensures high switching frequency
        ‧Cost-effective alternative to GaAs devices

        Key Applications
        ‧GPS system
        ‧DECT Phone
        ‧2nd stage LNA and mixer in DBS and LNB
        ‧Satellite Radio
        ‧WLAN and CDMA applications
        ‧Low-noise microwave applications

        Quick reference date for the BFU725F (SOT343F)
         

        Transition frequency as a function of collector current (typical values)
         

        Gain as a function for frequency (typical values)
         



        關(guān)鍵詞: NXP 品佳集團 微波晶體管

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