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        IDT推出最新先進(jìn)存儲(chǔ)器緩沖器(AMB) 樣品

        作者: 時(shí)間:2004-12-21 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

          公司今天宣布推出最新先進(jìn)緩沖器(AMB) 樣品,服務(wù)于多種全緩沖雙插線模塊(FB-DIMM)的生產(chǎn)商。這個(gè)新產(chǎn)品完全兼容JEDEC的AMB標(biāo)準(zhǔn),是下一代高帶寬應(yīng)用產(chǎn)品的必備技術(shù),比如服務(wù)器和工作站,這些設(shè)備都要求更高的性能和大型的存儲(chǔ)容量。

          FB-DIMM信道架構(gòu)的一個(gè)關(guān)鍵功能就是在信道中的存儲(chǔ)控制器和模塊之間實(shí)現(xiàn)高速度、串行、點(diǎn)對點(diǎn)的連接。每個(gè)FB-DIMM上的AMB芯片負(fù)責(zé)收集和分配來自DIMM 的數(shù)據(jù),在芯片上進(jìn)行內(nèi)部數(shù)據(jù)緩沖,并將數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)發(fā)至下一個(gè)DIMM或者存儲(chǔ)控制器。這種獨(dú)特的信道結(jié)構(gòu)減少了在帶寄存器的DIMM技術(shù)中很常見的緩沖時(shí)延問題,能夠使設(shè)計(jì)人員在單一的系統(tǒng)中應(yīng)用大量的DIMM。

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        關(guān)鍵詞: IDT 存儲(chǔ)器

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