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        德州儀器推出模擬制造工藝超過30 種高精度、低噪聲產(chǎn)品已投入開發(fā)

        作者:電子設計應用 時間:2003-06-13 來源:電子設計應用 收藏
        日前,公司 (TI) 宣布推出一種新的高性能制造工藝,其有助于開發(fā)諸如模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC)、數(shù)模轉(zhuǎn)換器 (DAC)、運算放大器及功率放大器等高級模擬產(chǎn)品,從而進一步鞏固了 TI 在高性能模擬與混合信號技術(shù)方面所處的領(lǐng)先地位。該新技術(shù)所提供的業(yè)界最低 CMOS 噪聲性能、更高集成度以及 200mm 晶圓的大批量生產(chǎn)將使那些致力于測試與測量、醫(yī)療儀器、工業(yè)過程控制以及通信等高性能的系統(tǒng)設計人員獲益非淺。(敬請訪問 www.ti.com/sc03108。)

        TI 負責混合信號技術(shù)開發(fā)經(jīng)理 Lou Hutter 說:“HPA07 工藝的此次推出充分印證了 TI 不斷致力于高性能模擬市場技術(shù)的決心。該技術(shù)將使我們的模擬技術(shù)工程師創(chuàng)建出一系列領(lǐng)先的高性能模擬解決方案,這些方案將超出客戶對高精度、高集成度的要求?!?/P>

        高級模擬系列產(chǎn)品的開發(fā)
        HPA07 集成了高質(zhì)量的無源器件,對于實現(xiàn)以下高性能模擬產(chǎn)品的高效設計極為關(guān)鍵:無滯后問題的高精度金屬硅化物(極低的電壓系數(shù))電容器;精度極高、可進行激光微調(diào)的薄膜電阻。

        HPA07 獨特的處理能力及豐富的功能集將使TI模擬工程師開發(fā)出獨特的電路,并將可創(chuàng)建高集成度功能電路的各種功能與無與倫比的高精度模擬規(guī)范進行完美組合。電壓系數(shù)不到 5 ppm/V 的高精度電容器、1kOhm/square SiCr 電阻器、具有 1/f 低噪聲的 5V 模擬 CMOS 以及 30V 漏極擴展型 CMOS 等的完美組合為設計人員提供了實現(xiàn)各種新產(chǎn)品設計而專門優(yōu)化的高精度組件。

        目前,TI 在 HPA07 的開發(fā)計劃中包含了30多種將利用其更高模擬性能的產(chǎn)品。該款高精度電容器的這些特性將有助于設計出具有卓越積分非線性 (INL) 的逐次逼近數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器。這種 SiCr 晶體管將能實現(xiàn)在一個 48 引線 TSSOP 封裝中集成八個 16 位 R2R 型 DAC。此外,高精度儀表放大器還進行了專門設計,以利用 SiCr 電阻器的精確匹配與激光微調(diào)功能。


        首款 HPA07 器件現(xiàn)已開始供貨
        采用 HPA07 工藝制造的首款運算放大器產(chǎn)品現(xiàn)已上市。OPA300 是一款低噪聲的高速運算放大器,專門設計用于與高速 16 位 ADC 相連,例如 TI 的 ADS8401——16 位 1.25Msamples/s ADC。OPA300的 1/f 噪聲比 TSMC 模擬 CMOS 的等同設計要低20%。由 HPA07 提供的組件匹配與超時穩(wěn)定性使諸如 OPA300 這樣的產(chǎn)品能夠達到更佳的精度。

        HPA07 工藝由TI全球設計團隊在位于得克薩斯州達拉斯的 TI 中心開發(fā)而成,該工藝已完全通過資格認證。HPA07 的3.3V 版本將于2003年第三季度投入設計。該工藝將具有 5V 版本所有的卓越特性。



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