與導(dǎo)體表面網(wǎng)格尺寸限制相比，相同尺寸限制條件下介質(zhì)內(nèi)部限制的仿真工作量要遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于導(dǎo)體表面網(wǎng)格尺寸限制。

　　基于上面的分析，對限制區(qū)域進(jìn)一步精簡(如圖9，區(qū)域?qū)挾葹閭鬏斁€截面寬度)，得到2H、H、1/2H條件下S21插入損耗與相位(如圖10)和TDR損耗曲線(如圖11)的對比結(jié)果。

　　圖9 介質(zhì)內(nèi)部網(wǎng)格尺寸限制區(qū)域(精簡后)

　　圖10 介質(zhì)內(nèi)部網(wǎng)格尺寸限制下?lián)p耗和相位仿真結(jié)果(精簡后)

　　圖11 介質(zhì)內(nèi)部網(wǎng)格尺寸限制下阻抗特性仿真結(jié)果(精簡后)

　　4.分析總結(jié)

　　根據(jù)前文中不同限制條件下得到的結(jié)果，對幾種能夠適用于工程實踐的網(wǎng)格限制方法進(jìn)行對比分析，分別如下：

　　a) 無限制，作為參照組;

　　b) 基于導(dǎo)體表面網(wǎng)格劃分限制，最大尺寸為1/2H;

　　c) 基于介質(zhì)內(nèi)部網(wǎng)格劃分限制，限制區(qū)域?qū)挾葹?H，最大尺寸為H;

　　d) 基于介質(zhì)內(nèi)部網(wǎng)格劃分限制，限制區(qū)域?qū)挾葹閭鬏斁€寬度，最大尺寸為H;

　　e) 測試結(jié)果，作為參考。

　　自適應(yīng)后的網(wǎng)格劃分結(jié)果對比如圖12，其中，b與c的網(wǎng)格分布與實際的電磁場分布更加匹配。

　　圖12 不同劃分方法下自適應(yīng)后的網(wǎng)格劃分結(jié)果

　　損耗與相位的仿真與測試結(jié)果對比如圖13，TDR阻抗仿真結(jié)果對比如圖14，表為仿真工作量對比結(jié)果。b與c的損耗仿真精度優(yōu)于d;b、c、d的阻抗仿真精度接近;仿真工作量d、c、b依次增加。綜合考慮，b與c在工程實踐中能夠兼顧精度和效率。

　　圖13 不同網(wǎng)格劃分方法下?lián)p耗和相位仿真結(jié)果

　　圖14 不同網(wǎng)格劃分方法下阻抗特性仿真結(jié)果