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        封裝寄生電感是否會影響MOSFET性能?

        作者: 時間:2015-01-06 來源:網(wǎng)絡 收藏

          III.分析升壓轉換器中采用最新推出的TO247 4引腳封裝的

        本文引用地址:http://www.antipu.com.cn/article/267745.htm

          英飛凌已經(jīng)在CoolMOS系列器件中推出新的封裝概念“4引線封裝”,其中,通孔封裝名為“TO-247 4PIN”。如圖3中的虛線框內所示,最新推出的TO-247 4引腳模型提供了一個額外的源極連接引腳。在內部連接中,引腳分離始于芯片內部,充當開爾文源。電源引腳“S”為電源接地提供了連接。開爾文源引腳,源-感側引腳“SS”直接連接至驅動器地線,以便將驅動電流與電源電流路徑分離。

          由于源極分離,瞬態(tài)過程中源極電感對柵極驅動電路的影響將被消除。參見圖3,驅動環(huán)路顯示為紅色,漏極電流環(huán)路不再相互作用。源電感引起的壓降不再影響柵源電壓Vgs(t)。如第二節(jié)中所討論,階段3時的柵源電壓Vgs(t)為

          

         

          其中,LG等于Lg1+Lg2+Lss.

          

         

          圖3.升壓轉換器中的TO247 4引腳封裝等效模型

          對應的時間段t3和漏極電流變化速率dId/dt可表示為:

          

         

          從等式(5)和(6)可知,影響電流速率的源極引腳電感被消除了。根據(jù)等式(2)和(5),較之TO247封裝MOSFET,這縮短了器件的開關速度,降低了開關損耗。最新推出的TO247 4引腳MOSFET可實現(xiàn)相對較快的開關動作,從而降低開關損耗。

          IV.實驗驗證

          A.實驗測試波形

          將升壓PFC轉換器用作測量平臺,進行評估。傳統(tǒng)的TO247封裝MOSFET和最新推出的TO247 4引腳封裝MOSFET將被用作平臺主用開關器件,以驗證最新推出的TO247 4引腳封裝MOSFET優(yōu)于傳統(tǒng)的TO247封裝的開關性能和柵極控制能力。

          圖4所示為傳統(tǒng)的TO247封裝(上)和最新推出的TO247 4引腳封裝(下)的硬開關關斷波形對比。根據(jù)測得波形,從Vds(t)(藍色波形)到Id(t)(黃色波形)的TO247 4引腳封裝MOSFET的穿過時間,比最新推出的TO247封裝MOSFET縮短了約40%.Vds與ID的重疊越少,意味著開關損耗越低。較之于傳統(tǒng)的TO247封裝,最新推出的TO247 4引腳封裝MOSFET的振蕩幅度Vgs (t)(紫色波形)也降低了30%.因此,最新推出的TO247 4引腳封裝提供了更加可靠的開關控制。

          

         

          圖4. TO247封裝MOSFET(上)和TO247 4引腳封裝MOSFET(下)的MOSFET關斷瞬態(tài)波形。試驗條件:Ext. Rg=5Ω,12 V柵極驅動電壓、試驗器件IPZ65R019C7

          最新推出的TO247 4引腳封裝MOSFET切換時間,比傳統(tǒng)的TO247封裝短。得益于開關損耗降低,最新推出的TO247 4引腳封裝MOSFET實現(xiàn)了更高效率,如圖5所示。在輸入電壓為110 Vac的滿負荷試驗條件下,相比于傳統(tǒng)的TO247封裝的試驗結果,最新推出的TO247 4引腳封裝MOSFET的效率提高了0.2%.在高電壓情況下,即當輸入電壓為220 Vac時,也實現(xiàn)了與之一致的效率提升。

          

         

          圖5.在110 Vac輸入電壓條件下,TO247 4引腳封裝MOSFET與TO247封裝MOSFET的PFC效率對比。測試條件:Ext. Rg=5Ω,開關頻率=100 kHz,測試器件:具備相同硅芯片的IPW65R019C7(TO247)和IPZ65R019C7(TO247 4引腳)

          V.結語

          本文分析了快速開關MOSFET封裝對開關性能的影響。封裝源電感是決定切換時間的關鍵參數(shù),后者與開關速度和開關可控性密切相關。英飛凌最新推出的TO247 4引腳封裝MOSFET能最大限度地減少傳統(tǒng)的TO247封裝造成的不利影響,實現(xiàn)更高系統(tǒng)效率。

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        關鍵詞: 寄生電感 MOSFET

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