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        高可靠性電源系統(tǒng)的熱插拔原理和應(yīng)用問(wèn)答選編

        作者: 時(shí)間:2008-12-14 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
        問(wèn):MOS管有兩種,一種是NPN,另一種是PNP,兩種都可以用嗎?

        答:MOS管分為N溝道和P溝道兩種,在產(chǎn)品通常采用N溝道的MOSFET。P溝道要采用負(fù)壓控制,在這里是完全不必要使用P溝道的MOSFET。

        問(wèn):MSOP封裝的引腳間距很小,外部高電壓會(huì)不會(huì)影響到可靠性?

        答:封裝完全可以保證芯片正常工作的需要,如果電壓足夠高,Layout要做好隔離和EMI的控制。

        問(wèn):TI的熱插撥產(chǎn)品會(huì)不會(huì)對(duì)CPU產(chǎn)生干擾

        答:不會(huì)對(duì)CPU產(chǎn)生干擾,反而會(huì)增加系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

        問(wèn):TI熱插撥產(chǎn)品的選型除了額定電壓和額定電流外還有什么要特別注意的?

        答:需要注意的是選用什么樣的工作模式:Latchoff或者Autoretry,是不是需要功率限制功能來(lái)保護(hù)MOSFET。

        問(wèn):系統(tǒng)是如何穩(wěn)壓的?

        答:通過(guò)限制電流過(guò)快上升,使電流較平穩(wěn)地過(guò)渡到穩(wěn)定值,達(dá)到輸出電壓逐漸穩(wěn)定。

        問(wèn):TI的熱插拔和用分立元件(自恢復(fù)保險(xiǎn)絲,TVS管的區(qū)別在哪里?有什么優(yōu)缺點(diǎn)?

        答:自恢復(fù)保險(xiǎn)絲只是起到熔斷的作用,響應(yīng)速度較慢,功耗較大,不適合用于具有熱插拔功能的產(chǎn)品。TVS只是起到過(guò)壓保護(hù)的作用。這兩種產(chǎn)品會(huì)用在一般的產(chǎn)品中,成本低但性能很差。TI的熱插拔電源管理IC不僅可以起到保護(hù)的作用,而且反應(yīng)速度快,還可以提高系統(tǒng)的可靠性。

        問(wèn):如果系統(tǒng)突然斷電和恢復(fù),對(duì)熱插拔電路是否有影響?是否會(huì)損壞負(fù)載電路?

        答:不會(huì)有影響,也不會(huì)損壞負(fù)載。熱插拔電源管理IC也會(huì)起到保護(hù)的作用。

        問(wèn):電源的熱插拔和USB等設(shè)備的即插即用有什么區(qū)別嗎?

        答:熱插拔電源管理器件與USB或即插即用設(shè)備的電源限流很相似。即插即用的設(shè)備使用熱插拔電源管理器件,必須有支持即插即用的系統(tǒng)和驅(qū)動(dòng)作支持。

        問(wèn):雙路熱插拔芯片中的兩路分別完成什么功能?

        答:雙路熱插拔是考慮負(fù)載需要接入系統(tǒng)的電源不同,例如一路需要+5V,而另一路需要+12V,這樣就有必要將兩路分開(kāi)單獨(dú)控制。

        問(wèn):使用熱插拔芯片進(jìn)行設(shè)計(jì)需要注意些什么?

        答:主要考慮應(yīng)用環(huán)境和需要的功能。例如,如果用于工業(yè),需選用工業(yè)級(jí)的產(chǎn)品以及工作電壓范圍;是選用閉鎖模式還是自動(dòng)重試模式;是不是需要最大功率控制等額外的功能。

        問(wèn):熱插拔電路板插座上是否有引腳長(zhǎng)短的區(qū)別?

        答:如果您設(shè)計(jì)的產(chǎn)品必須符合相關(guān)協(xié)議、規(guī)范以及規(guī)定,如果相關(guān)內(nèi)容對(duì)接口機(jī)械參數(shù)或者電氣參數(shù)有要求,引腳會(huì)有所區(qū)別,例如長(zhǎng)短和排序等。

        問(wèn):熱插拔電路對(duì)電壓和電流的大小有什么限制?

        答:熱插拔電源管理IC本身有正常的工作電壓范圍,可以設(shè)定最大限制電流或者Fault電流。電壓和電流不能超過(guò)規(guī)定的范圍。

        問(wèn):熱插拔電源如何實(shí)現(xiàn)對(duì)電流的控制?

        答:通過(guò)采樣RSENSE獲取電流值信息,如果電流超過(guò)最大設(shè)定值或者最大限制值時(shí),熱插拔電源管理IC進(jìn)入Latchoff或者Autoretry狀態(tài),控制MOSFET導(dǎo)通的時(shí)間,前者M(jìn)OSFET斷開(kāi),后者M(jìn)OSFET間隔一定時(shí)間后導(dǎo)通或斷開(kāi),這樣可以保證不會(huì)出現(xiàn)浪涌電流,實(shí)現(xiàn)負(fù)載電流慢慢上升的過(guò)程。


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