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        基于TSC控制技術(shù)的可控硅開(kāi)關(guān)分析

        作者: 時(shí)間:2013-10-09 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

        在確定了可控硅的型號(hào)后,在電路中串聯(lián)不同大小的電抗,觀察投切電容器時(shí)整個(gè)電路的電壓波形。

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        經(jīng)實(shí)驗(yàn)比較后發(fā)現(xiàn),當(dāng)串聯(lián)的感抗值占同組電容器的容抗值約6%時(shí)電壓波形效果較好,感抗過(guò)大或過(guò)小得到的電壓波形效果較差。
        另外,串聯(lián)電阻可解決投切電容器時(shí)電壓波形的畸變問(wèn)題,但在實(shí)際應(yīng)用中電阻存在較大的發(fā)熱和功率損耗問(wèn)題,故串聯(lián)電阻方案不可行。
        由本實(shí)驗(yàn)可總結(jié)出,空心電感的存在能有效解決問(wèn)題,因?yàn)殡姼芯哂幸种齐娏魍蛔兊奶攸c(diǎn),實(shí)驗(yàn)也證實(shí)了這一點(diǎn)。

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