手把手教你讀懂FET選取合適器件
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仔細(xì)看看FET溝道部分結(jié)構(gòu)，大家看；是否可以拼出這來：
如ZVS/同步整流。反向回復(fù)時間和電荷量決定了電源的效率和電磁噪音。
看trr和Qrr
trr是二極管恢復(fù)時間；Qrr是恢復(fù)電荷量。在電路里；類似在FET的DS間并聯(lián)電容。這兩個值越大；電容量也越大。這個電容值還和溫度和實際流過二極管的電流大小有關(guān)。電流越大；溫度越高，等效電容越大。
因此；在對比不同數(shù)據(jù)表時；一定要看清測試條件。否則；劣管也能標(biāo)出好參數(shù)的。
這里；二極管流過電流時間基本和Qrrtrr無關(guān)。
AR/EAS這兩個量描述的是FET抗雪崩擊穿的能力。
EAR描述的是可重復(fù)的雪崩耐量。EAS描述的是單次耐量。
如在小功率反激里；取消RCD吸收后，大電流負(fù)載時的漏極電壓就需要EAR這個量來考核安全。再如大電流半/全橋電路里，橋短路時電流非常大；即便在安全工作區(qū)能關(guān)斷FET；仍會因引線等雜散寄生電感的作用而產(chǎn)生過壓，當(dāng)關(guān)的比較快時；過壓就會超過FET耐壓極限而擊穿。EAS是衡量FET此時是否安全的參量...這里只列舉了這兩個量的概念了兩個實際工程中的應(yīng)用實例。它們的意義遠(yuǎn)非這些。
這是這兩個量的典型圖表：
安全工作區(qū)SOA
先看這兩張圖：
這是兩個同為600V的MOSFET，都能在600V下承受最大飽和電流。即在15V柵壓時；MOSFET能流過的最大電流（MOSFET進(jìn)入了線性區(qū)；呈恒流狀態(tài)），此時的電流不隨電壓增高而增加！
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