為5V 1-Wire從器件提供過壓保護(hù) 作者： 時間：2012-03-18 來源：網(wǎng)絡(luò) 加入技術(shù)交流群 掃碼加入和技術(shù)大咖面對面交流海量資料庫查詢 收藏 <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> 2的VCE擊穿電壓Q1的VGD和VDS擊穿電壓 LT1004 (U1)的最大電流為20mA，2N3906 (Q2)的擊穿電壓為40V，Q1擊穿電壓為350V。受限制的元件為Q2。40V時，通過U1的電流為143μA，遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于20mA限值。 總結(jié) 如果能夠保護(hù)5V器件不受編程脈沖的沖擊，則可以在同一總線上使用1-Wire EPROM和5V 1-Wire器件。圖2所示簡單保護(hù)電路一定條件下可以起到保護(hù)作用，但MOSFET的柵極至源極關(guān)斷電壓的變化范圍很寬，所以并非最佳選擇，需要采用“匹配”的晶體管和并聯(lián)基準(zhǔn)。圖4所示電路可調(diào)節(jié)補償MOSFET的容限，但對1-Wire主控器件形成了較大負(fù)載。由于PSSI2021SAY耐壓高達(dá)75V，該電路具有高達(dá)75V的保護(hù)能力。圖7所示電路的功能類似于圖4，但可獲得更好的性能，對1-Wire主控器件形成的負(fù)載也低得多。其保護(hù)電壓為40V，受限于Q2。通過選擇具有較高VCE擊穿電壓的晶體管，可提高保護(hù)水平。 上一頁 1 2 下一頁
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