碳化硅SiC是功率半導(dǎo)體器件晶片的理想材料，其優(yōu)點是禁帶寬，工作溫度高（可達600℃）、熱穩(wěn)定性好、通態(tài)電阻小、導(dǎo)熱性能好、漏電流極小、DNI結(jié)耐壓高等，有利于制造出耐高溫的高頻大功率的半導(dǎo)體開關(guān)器件，如SiC功率MOSFET和SiC IGBT等。