?。?）柵一源驅(qū)動脈沖電壓的幅值UGS要足夠大，為了降低通態(tài)電阻或壓降，大功率高壓MOSFET管和IGBT管功率開關(guān)器件的驅(qū)動電壓要有12～15 V。低壓MOSFET也有用邏輯電平4.5 V的。

　?。?）要防止柵一源之間的擊穿，柵一源之間的擊穿電壓約為50V，但分散性較大，容易擊穿損壞。驅(qū)動電路的輸出電壓UGS，一般應(yīng)小于20V，為此可以用反向耐壓約為20V的肖特基二極管鉗位來限制過電壓。

　　（3）驅(qū)動電壓“開路脈沖”的邊沿要陡?！伴_路脈沖”是指漏極開路（不接電壓），柵一漏電容CGD不起反饋作用時的測試波形，其上升沿和下降沿的時間（t1～t2、t4～t5）要很短，如小于0.5S，如圖9：2的｀點畫線部分所示，工作波形如圖1中的實線所示。由于MOSFET柵一源極之間的輸人電容Ciss（在1000 pF數(shù)量級），要求驅(qū)動電路能夠提供較大的短時充、放電峰值電流（如500mA或500mA以上）。

　　圖1 對柵一源極之間電容的充電電流和放電電流

　?、僭诿}沖前沿t1～t3期間，必須要有從驅(qū)動電路流向柵極（此電流方向?qū)︱?qū)動電路來說是“拉”）的iG充對CGS大電流充電，才能使柵－源之間的極間電容CGS迅速建立電壓UGS，以使MOSFET管的漏一源之間迅速導(dǎo)通。

　?、谠诿}沖的后沿t4～t6期間，必須要有從MOSFET柵極流向驅(qū)動電路（此電流方向?qū)︱?qū)動電路來說是“灌”）的iG放，對CGS大電流放電，才能使柵一源電壓UGS速放完，使MOSFET漏一源之間迅速截止。

　?。?）有時需要隔離。當(dāng)驅(qū)動電路浮地端與被驅(qū)動管的源極電位不相等時，需要用脈沖變壓器或是光耦驅(qū)動器做電位隔離（絕緣）。