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        LLC諧振轉(zhuǎn)換器可提升DC-DC效率

        作者: 時間:2013-02-13 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
        webkit-text-stroke-width: 0px">參考設(shè)計中的開關(guān)電路使用半橋拓撲,因此,半橋電壓在0V與Vd=400Vdc標稱值之間擺動。諧振回路由電容、電感和隔離變壓器的磁化電感組成。由于設(shè)計使用變壓器的磁化電感,因而無需使用外部電感,降低了系統(tǒng)成本。該設(shè)計也可將變壓器的漏電感用作次級電感,無需另外添加外部電感,從而節(jié)省更多成本。

        如果將諧振回路正確調(diào)整到開關(guān)頻率,諧振回路將對基波頻率呈現(xiàn)有限阻抗,而對所有其他諧波頻率呈現(xiàn)非常高的阻抗。回路的阻抗會使電壓與電流之間發(fā)生相移,從而允許進行零電壓開關(guān)。初級MOSFET的零電壓開關(guān)如圖4所示。

        LLC諧振轉(zhuǎn)換器可提升DC-DC效率
        圖4:在該參考設(shè)計中,由于諧振回路電流與MOSFET電壓存在相移,半橋MOSFET開關(guān)沒有任何導(dǎo)通損耗。

        設(shè)計次級側(cè)時采用同步整流器代替二極管,以降低次級側(cè)的導(dǎo)通損耗。這可以減小正向電阻(Rf)和二極管正向電壓產(chǎn)生的損耗。圖5給出了同步整流器的開關(guān)波形。

        LLC諧振轉(zhuǎn)換器可提升DC-DC效率
        圖5:為消除次級側(cè)(同步)整流器的關(guān)斷損耗,在MOSFET電流達到零后增大MOSFET的漏源電壓。圖注與圖4相同,即綠線=MOSFET柵源電壓,紫線=MOSFET漏源電壓,黃線=MOSFET電流

        對于同步整流,數(shù)字控制執(zhí)行MOSFET開關(guān)無需在次級側(cè)采用電流檢測電路。這使得全波整流器設(shè)計的效率提高并且成本降低。圖6給出了負載電流范圍內(nèi)的效率。額外的好處包括提高了補償器設(shè)計的靈活性,因為DSC還實現(xiàn)了占空比控制的軟啟動。
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