表1改善前水平方向測(cè)試數(shù)據(jù)改善后的XFP模塊電磁騷擾場(chǎng)強(qiáng)在水平方向的測(cè)試結(jié)果如圖4和表2所示：

表2改善后水平方向測(cè)試數(shù)據(jù)

由以上測(cè)試數(shù)據(jù)可見，改善后的電磁騷擾場(chǎng)強(qiáng)最大峰值下降了近2dBμV/m，平均值下降了近6dBμV/m。

4 結(jié)束語

在光收發(fā)合一模塊的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中，必須要將電磁屏蔽設(shè)計(jì)作為重點(diǎn)考慮的內(nèi)容。具體展開屏蔽設(shè)計(jì)時(shí)，應(yīng)先確定騷擾源的特征，再選擇合適的屏蔽材料，然后結(jié)合適當(dāng)?shù)钠帘畏绞揭郧筮_(dá)到最佳的屏蔽效果。通過樣品的測(cè)試結(jié)果表明，模塊的電磁兼容性能得到了很大的改善，且模塊各項(xiàng)工作性能指標(biāo)沒有受到任何影響。