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        技術(shù)知識(shí):嵌入式功率系統(tǒng)的100V MOSFET器件

        作者: 時(shí)間:2014-01-21 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
        成短路,導(dǎo)致 MOSFET和變壓器損耗大幅度提高。

        本文引用地址:http://www.antipu.com.cn/article/226750.htm

        3.最低的FOMg和FOMgd值

        有效功率轉(zhuǎn)換的最高需求是在面向電信和服務(wù)器電源以及類(lèi)似系統(tǒng)的DC/DC轉(zhuǎn)換領(lǐng)域。

        轉(zhuǎn)換器要求以有效方式提供最高的電流。這只有通過(guò)利用最先進(jìn)的組件和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)并采用250kHz及以上的開(kāi)關(guān)頻率才能實(shí)現(xiàn)。

        對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)48V寬范圍系統(tǒng)而言,100VMOSFET通常作為半橋或全橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中的原邊側(cè)主開(kāi)關(guān)。由于開(kāi)關(guān)頻率非常高,需要低導(dǎo)通電阻Rds(on),亦需要低柵電荷Qg。FOMG(Rds(on)、Qg)成為MOSFET選擇的一個(gè)可靠衡量尺度。此外,與開(kāi)斷損耗直接相關(guān)的Qgd也同樣重要。需要注意,整體效率僅增加1%將意味著MOSFET開(kāi)關(guān)溫度下降17℃。D類(lèi)放大器也有類(lèi)似的要求,在D類(lèi)放大器中,MOSFET運(yùn)行在半橋或全橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)里。

        100V MOSFET的應(yīng)用涵蓋眾多要求。新型OptiMOS2 100V系列采用了先進(jìn)的MOSFET技術(shù),可為安全、快速開(kāi)關(guān)和最低電阻功率提供所需的特性。

        linux操作系統(tǒng)文章專題:linux操作系統(tǒng)詳解(linux不再難懂)

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