4 存儲非易失數(shù)據(jù)或參數(shù)

　　有時候系統(tǒng)需要存儲非易失的數(shù)據(jù)或參數(shù)，這就需要通過編寫程序直接對J3D進行讀/寫操作。當然，前提是先要在EDK中為J3D添加一個XPS MCH EMC接口。這個接口對并行NOR Flash和SRAM來說都是適用的，如果用于SRAM則可以直接讀/寫，不需要驅(qū)動，而用于并行Flash則需要自己編寫相應(yīng)的驅(qū)動程序。下面為自行編寫的一個執(zhí)行塊擦除、單字寫、單字讀操作的程序。需要注意的是： 寫操作前一定要先進行擦除操作，寫命令或?qū)憯?shù)據(jù)之后一定要對狀態(tài)寄存器進行判斷是否完成相應(yīng)操作；讀操作則很簡單，像SRAM的讀/寫一樣。

　　Xuint16 data=0xF0F0;

　　Xuint16 Status，ReadData;

　　/*塊擦除程序*/

　　XIo_Out16(XPAR_FLASH_16MX8_MEM0_BASEADDR,0x2020 );//指定地址塊的擦除設(shè)置

　　XIo_Out16(XPAR_FLASH_16MX8_MEM0_BASEADDR,0xD0D0 );//指定地址塊的擦除確認

　　do{

　　Status = XIo_In16(XPAR_GENERIC_EXTERNAL_MEMORY_MEM0_BASEADDR);

　　}while ((Status 0x0080) != 0x0080);//讀狀態(tài)寄存器直至塊擦除完成

　　/*單字寫程序*/

　　XIo_Out16(XPAR_FLASH_16MX8_MEM0_BASEADDR,0x4040 );//指定地址處單字寫操作設(shè)置

　　XIo_Out16(XPAR_FLASH_16MX8_MEM0_BASEADDR,data );//向指定地址處寫入一個字長的數(shù)據(jù)

　　do{

　　Status = XIo_In16(XPAR_GENERIC_EXTERNAL_MEMORY_MEM0_BASEADDR);

　　}while ((Status 0x0080) != 0x0080);//讀狀態(tài)寄存器直至寫操作完成

　　/*單字讀程序*/

　　ReadData=XIo_In16(XPAR_FLASH_16MX8_MEM0_BASEADDR );//讀相應(yīng)地址處的數(shù)據(jù)

　　還有一種情況是在系統(tǒng)運行前就把數(shù)據(jù)寫入Flash中。首先，把數(shù)據(jù)寫入一個二進制文件中。注意，MicroBlaze的存儲格式是BigEndian（即高字節(jié)數(shù)據(jù)保存在低地址，低字節(jié)數(shù)據(jù)保存在高地址），PC機的存儲格式則是LittleEndian（即高字節(jié)數(shù)據(jù)保存在高地址，低字節(jié)數(shù)據(jù)保存在低地址），因此如果是用VC++產(chǎn)生的二進制文件，一定要進行高、低字節(jié)交換。在Matlab中生成數(shù)據(jù)文件則可以在相應(yīng)的文件操作函數(shù)中添加參數(shù)’b’（表示以BigEndian格式存儲），如FileID=fopen(’data.bin’,’w+’,’b’)。產(chǎn)生的二進制文件可以通過Program Flash Memory對話框下載到J3D中，注意不要選中Autoconvert file to SREC format when programming flash和Create Flash Bootloader Application選項。

　　結(jié)語

　　本文討論了在以Xilinx Spartan XC3S1600E為基礎(chǔ)的SOPC設(shè)計中，Intel J3D并行NOR Flash的4種不同用途及其使用方法與技巧，尤其對一些技術(shù)關(guān)鍵問題予以詳細的闡述，其中融入了筆者在項目開發(fā)中的實際經(jīng)驗，具有較高的參考價值。J3D既可以用于存儲FPGA配置比特流，又可以存儲軟處理器程序代碼，也可以存儲非易失的數(shù)據(jù)和參數(shù)，甚至三者可以并存于同一片J3D中。本文只是以Intel J3D并行NOR Flash為例討論其在SOPC開發(fā)中的用法，這些方法同樣適用于其他廠家具有CFI（Common Flash Interface）接口的并行NOR Flash。靈活地綜合運用這些方法，對于SOPC開發(fā)具有重要意義。