LED技術(shù)參數(shù)符號介紹

CT---勢壘電容
Cj---結(jié)(極間)電容, 表示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下,鍺檢波二極管的總電容
Cjv---偏壓結(jié)電容
Co---零偏壓電容
Cjo---零偏壓結(jié)電容
Cjo/Cjn---結(jié)電容變化
Cs---管殼電容或封裝電容
Ct---總電容
CTV---電壓溫度系數(shù).在測試電流下,穩(wěn)定電壓的相對變化與環(huán)境溫度的絕對變化之比
CTC---電容溫度系數(shù)
Cvn---標(biāo)稱電容

IF ---正向直流電流(正向測試電流).鍺檢波二極管在規(guī)定的正向電壓VF下,通過極間的電流;硅整流管、硅堆在規(guī)定的使用條件下,在正弦半波中允許連續(xù)通過的最大工作電流(平均值),硅開關(guān)二極管在額定功率下允許通過的最大正向直流電流;測穩(wěn)壓二極管正向電參數(shù)時給定的電流
IF(AV)---正向平均電流
IFM(IM)---正向峰值電流(正向最大電流).在額定功率下,允許通過二極管的最大正向脈沖電流.發(fā)光二極管極限電流.
IH---恒定電流、維持電流.
Ii--- 發(fā)光二極管起輝電流
IFRM---正向重復(fù)峰值電流
IFSM---正向不重復(fù)峰值電流(浪涌電流)
Io---整流電流.在特定線路中規(guī)定頻率和規(guī)定電壓條件下所通過的工作電流
IF(ov)---正向過載電流
IL---光電流或穩(wěn)流二極管極限電流
ID---暗電流
IB2---單結(jié)晶體管中的基極調(diào)制電流
IEM---發(fā)射極峰值電流
IEB10---雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極與第一基極間反向電流
IEB20---雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極向電流
ICM---最大輸出平均電流
IFMP---正向脈沖電流
IP---峰點電流
IV---谷點電流
IGT---晶閘管控制極觸發(fā)電流
IGD---晶閘管控制極不觸發(fā)電流
IGFM---控制極正向峰值電流
IR(AV)---反向平均電流
IR (In)---反向直流電流(反向漏電流).在測反向特性時,給定的反向電流;硅堆在正弦半波電阻性負載電路中,加反向電壓規(guī)定值時,所通過的電流;硅開關(guān)二極管兩端加反向工作電壓VR時所通過的電流;穩(wěn)壓二極管在反向電壓下,產(chǎn)生的漏電流;整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流.
IRM---反向峰值電流
IRR---晶閘管反向重復(fù)平均電流
IDR---晶閘管斷態(tài)平均重復(fù)電流
IRRM---反向重復(fù)峰值電流
IRSM---反向不重復(fù)峰值電流(反向浪涌電流)
Irp---反向恢復(fù)電流
Iz---穩(wěn)定電壓電流(反向測試電流).測試反向電參數(shù)時,給定的反向電流
Izk---穩(wěn)壓管膝點電流
IOM---最大正向(整流)電流.在規(guī)定條件下,能承受的正向最大瞬時電流;在電阻性負荷的正弦半波整流電路中允許連續(xù)通過鍺檢波二極管的最大工作電流
IZSM---穩(wěn)壓二極管浪涌電流
IZM---最大穩(wěn)壓電流.在最大耗散功率下穩(wěn)壓二極管允許通過的電流
iF---正向總瞬時電流
iR---反向總瞬時電流
ir---反向恢復(fù)電流
Iop---工作電流
Is---穩(wěn)流二極管穩(wěn)定電流
f---頻率
n---電容變化指數(shù);電容比
Q---優(yōu)值(品質(zhì)因素)
δvz---穩(wěn)壓管電壓漂移
di/dt---通態(tài)電流臨界上升率
dv/dt---通態(tài)電壓臨界上升率

PB---承受脈沖燒毀功率
PFT(AV)---正向?qū)ㄆ骄纳⒐β?BR>PFTM---正向峰值耗散功率
PFT---正向?qū)偹矔r耗散功率
Pd---耗散功率
PG---門極平均功率
PGM---門極峰值功率
PC---控制極平均功率或集電極耗散功率
Pi---輸入功率
PK---最大開關(guān)功率
PM---額定功率.硅二極管結(jié)溫不高于150度所能承受的最大功率
PMP---最大漏過脈沖功率
PMS---最大承受脈沖功率
Po---輸出功率
PR---反向浪涌功率
Ptot---總耗散功率
Pomax---最大輸出功率
Psc---連續(xù)輸出功率
PSM---不重復(fù)浪涌功率
PZM---最大耗散功率.在給定使用條件下,穩(wěn)壓二極管允許承受的最大功率
RF(r)---正向微分電阻.在正向?qū)〞r,電流隨電壓指數(shù)的增加,呈現(xiàn)明顯的非線性特性.在某一正向電壓下,電壓增加微小量△V,正向電流相應(yīng)增加△I,則△V/△I稱微分電阻

RBB---雙基極晶體管的基極間電阻
RE---射頻電阻
RL---負載電阻
Rs(rs)----串聯(lián)電阻
Rth----熱阻
R(th)ja----結(jié)到環(huán)境的熱阻
Rz(ru)---動態(tài)電阻
R(th)jc---結(jié)到殼的熱阻
r δ---衰減電阻
r(th)---瞬態(tài)電阻

Ta---環(huán)境溫度
Tc---殼溫
td---延遲時間
tf---下降時間
tfr---正向恢復(fù)時間
tg---電路換向關(guān)斷時間
tgt---門極控制極開通時間
Tj---結(jié)溫
Tjm---最高結(jié)溫
ton---開通時間
toff---關(guān)斷時間
tr---上升時間
trr---反向恢復(fù)時間
ts---存儲時間
tstg---溫度補償二極管的貯成溫度

a---溫度系數(shù)

λp---發(fā)光峰值波長
△ λ---光譜半寬度
η---單結(jié)晶體管分壓比或效率
VB---反向峰值擊穿電壓
Vc---整流輸入電壓
VB2B1---基極間電壓
VBE10---發(fā)射極與第一基極反向電壓
VEB---飽和壓降
VFM---最大正向壓降(正向峰值電壓)
VF---正向壓降(正向直流電壓)
△VF---正向壓降差
VDRM---斷態(tài)重復(fù)峰值電壓
VGT---門極觸發(fā)電壓
VGD---門極不觸發(fā)電壓
VGFM---門極正向峰值電壓
VGRM---門極反向峰值電壓
VF(AV)---正向平均電壓
Vo---交流輸入電壓
VOM---最大輸出平均電壓
Vop---工作電壓
Vn---中心電壓
Vp---峰點電壓
VR---反向工作電壓(反向直流電壓)
VRM---反向峰值電壓(最高測試電壓)
V(BR)---擊穿電壓
Vth---閥電壓(門限電壓)
VRRM---反向重復(fù)峰值電壓(反向浪涌電壓)
VRWM---反向工作峰值電壓
V v---谷點電壓
Vz---穩(wěn)定電壓
△Vz---穩(wěn)壓范圍電壓增量
Vs---通向電壓(信號電壓)或穩(wěn)流管穩(wěn)定電流電壓
av---電壓溫度系數(shù)
Vk---膝點電壓(穩(wěn)流二極管)