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        新一代非易失性存儲器——NVSRAM的原理和應(yīng)用

        ——
        作者:Cypress存儲和圖像產(chǎn)品部 鄭贊 時間:2007-02-04 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

        摘要: 本文介紹了針對高端存儲應(yīng)用的最新非易失性。可以根據(jù)應(yīng)用要求以及功能需要選擇最佳的非易失性架構(gòu)。

        關(guān)鍵詞: Flash;EEPROM;;

        概述

        眾所周知,在非易失性領(lǐng)域,市場熱度節(jié)節(jié)攀升。近日,SRAM家族又增加了新的成員—。NVSRAM 為 Non-volatile SRAM縮寫,即為非易失性SRAM。本文將比較各類非易失性存儲器,并介紹NVSRAM的特點(diǎn)和優(yōu)勢, NVSRAM 的應(yīng)用以及工作方式。

        非易失性存儲器應(yīng)用

        目前非易失性方式主要有如下幾種:
        *Flash 或EEPROM + SRAM/SDRAM;
        *FRAM;
        *基于SRAM: BBSRAM, Micropower SRAM +后備電池,NVSRAM。

        下面我們分別談?wù)勥@幾種方式的優(yōu)缺點(diǎn)。

        先談?wù)凢lash 以及EEPROM (+ SRAM/SDRAM)的方式,這是最原始也是目前比較普遍的方式,主要是由于其價格便宜,但其缺點(diǎn)也是顯而易見的,就是速度和寫入次數(shù)的限制。  還有一點(diǎn)比較容易忽視的地方,就是在這種應(yīng)用中,由于Flash或EEPROM寫入速度慢和寫入次數(shù)限制的問題,數(shù)據(jù)不是實(shí)時寫入其中,一般存儲在SRAM/SDRAM中,當(dāng)?shù)揭欢ǖ臅r間或檢測到掉電后,再把數(shù)據(jù)寫入EEPROM和Flash中,這樣就有很大的潛在危險。就是當(dāng)?shù)綦姇r數(shù)據(jù)還沒來得及存到Flash或EEPROM中,就很可能丟失重要的數(shù)據(jù)。

        FRAM,鐵電存儲器,是一種新型的非易失性存貯方式,有一定的優(yōu)點(diǎn),例如,存儲速度相對于Flash 或EEPROM快一些,在擦寫次數(shù)上也有了很大的改進(jìn),但其不是標(biāo)準(zhǔn)SRAM接口,對于工程師來講,假如不兼容其它產(chǎn)品 將為他的設(shè)計帶來很多麻煩 ,并且FRAM目前是獨(dú)家供貨 ,又是擺在采購面前的一項(xiàng)難題。

        對于基于SRAM的方式來講,共同的特點(diǎn)就是,標(biāo)準(zhǔn)的SRAM接口,可以很方便的設(shè)計。但它們又各有特點(diǎn),BBSRAM 實(shí)際上是把SRAM和后備電池包在了一起,我們可以把BBSRAM和 Micropower SRAM +后備電池這兩種方式放在一起討論。這兩種方式是比較傳統(tǒng)的應(yīng)用方式,應(yīng)用也比較廣泛,缺點(diǎn)也是比較明顯,我們把它們和NVSRAM 做一個比較(見表1)。

        NVSRAM工作原理

        NVSRAM采用SRAM+EEPROM方式,實(shí)現(xiàn)了無須后備電池的非易失性存儲,芯片接口、時序等與標(biāo)準(zhǔn)SRAM完全兼容,圖1為1M NVSRAM 內(nèi)部框圖。

        圖1 NVSRAM的內(nèi)部框圖

        NVSRAM的外部接口與SRAM相同,讀寫控制都是由 片選(CE),讀使能(OE),寫使能(WE)來控制 ,時序標(biāo)準(zhǔn)也與SRAM完全相同。見圖2。

        圖2 NVSRAM與SRAM接口兼容

        NVSRAM表現(xiàn)在外部器件與SRAM不同的就是NVSRAM需要外接一個電容,當(dāng)外部電源突然斷掉時可以通過電容放電提供電源把SRAM里面的數(shù)據(jù)拷貝到EEPROM里面。見圖3。

        圖3 NVSRAM外接電容示意圖
         
        NVSRAM通常的操作都在SRAM中進(jìn)行,只有當(dāng)外界突然斷電或者認(rèn)為需要存儲的時候才會把數(shù)據(jù)存儲到EEPROM中去,當(dāng)檢測到系統(tǒng)上電后會把EEPROM中的數(shù)據(jù)拷貝到SRAM中,系統(tǒng)正常運(yùn)行。
          
        NVSRAM工作方式

        NVSRAM有三種存儲方式:自動存儲,硬件存儲和軟件存儲;有兩種RECALL操作方式:自動RECALL和軟件RECALL。

        存儲是指數(shù)據(jù)從SRAM到EEPROM的過程,其過程包括兩個步驟:
        1. 擦除之前EEPROM的內(nèi)容;
        2. 把目前SRAM的數(shù)據(jù)存到EEPROM中。

        RECALL是指EEPROM到SRAM的過程。它也包括兩個步驟:
        1. 清除之前SRAM的內(nèi)容;
        2. 把EEPROM的數(shù)據(jù)拷貝到SRAM中。

        以下就詳細(xì)闡述這幾種工作方式:
        自動存儲(AutoStore):當(dāng)檢測到外界電壓低于最小值時,會自動保存SRAM的數(shù)據(jù)到EEPROM中,其間所需要的電壓由外界的電源提供。

        硬件存儲(Hardware STORE):NVSRAM有一個/HSB 引腳,當(dāng)拉到低電平時進(jìn)行存儲操作,會保存SRAM的數(shù)據(jù)到EEPROM中。

        軟件存儲(Software STORE):軟件存儲是由 一個預(yù)定義的六個連續(xù)的SRAM讀操作控制數(shù)據(jù)從SRAM保存至EEPROM中。

        自動RECALL:當(dāng)檢測到外界重新上電時,會自動從EEPROM中拷貝到SRAM中。

        軟件RECALL:軟件RECALL是由 一個預(yù)定義的六個連續(xù)的SRAM讀操作控制數(shù)據(jù)從EEPROM保存至SRAM中。

        NVSRAM應(yīng)用

        NVSRAM主要用于掉電時保存不能丟失的重要的數(shù)據(jù),應(yīng)用領(lǐng)域廣泛,下面主要介紹這種非易失性存儲器的各類應(yīng)用。

        網(wǎng)絡(luò)通訊類

        路由器,高端交換機(jī),防火墻
        NVSRAM用于掉電時存儲MAC地址列表,路由表,以及存儲初始化信息,硬件版本信息等 ,當(dāng)重新上電后路由器或交換機(jī)不需要重新學(xué)習(xí)MAC地址和路由表。

        打印設(shè)備類

        打印機(jī),傳真機(jī),掃描儀
        打印機(jī):尤其是銀行打印機(jī),當(dāng)突然停電時,NVSRAM可以對已經(jīng)完成的交易,但還沒來的及打印到存折或清單上的數(shù)據(jù)儲存,等系統(tǒng)重新上電時打印機(jī)不會把此交易信息丟失,可以直接打印。

        傳真機(jī):NVSRAM用于存儲已經(jīng)接收到但還沒來得及打印的數(shù)據(jù),假如傳真機(jī)已經(jīng)接收到了文件還沒來得及打印就突然停電,此時的保存就尤為重要,NVSRAM會把這些內(nèi)容保存,當(dāng)重新上電時又會把這部份文件打印出來,使用戶不會因?yàn)閬G失重要文件而失去商機(jī)。

        掃描儀:用于存儲已經(jīng)掃描了但還沒來得及打印的數(shù)據(jù)的存儲,這個作用尤其用于掃描大文件時,如果掃描后還沒來得及打印,突然斷電,NVSRAM會把這部分?jǐn)?shù)據(jù)保存下來,重新上電開機(jī)后不需要再浪費(fèi)時間重新掃描。

        當(dāng)重新上電時,掉電前的數(shù)據(jù)不會丟失,可以避免因掉電給客戶造成的損失。

        工業(yè)控制類

        工控板,鐵路信號控制系統(tǒng),高壓電繼電器等
        這類產(chǎn)品中,操作過程和數(shù)據(jù)計算結(jié)果等信息尤為重要,當(dāng)?shù)綦姇r,NVSRAM會存儲中間操作和計算結(jié)果,重新上電時這些結(jié)果會重新拷貝到SRAM中,不會丟失任何中間計算結(jié)果。

        汽車電子類

        行駛記錄儀
        用于汽車實(shí)時數(shù)據(jù)的存儲,即 存放汽車發(fā)生事故前后的數(shù)據(jù),主要是用于分析事故發(fā)生的原因和事故的責(zé)任 。發(fā)生事故時,汽車系統(tǒng)很可能會沒有電源,需要把速度,剎車,轉(zhuǎn)向燈,車門,發(fā)動機(jī)的溫度等一些重要的信息記錄下來,就需要使用到NVSRAM。

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