3.2 讀操作

讀操作有串行頁讀、連續(xù)行讀、隨機(jī)讀3種類型。在此選用串行頁讀取。首先將讀操作控制字00h輸入，再寫入地址，寫入控制字30h，待 信號變高后，將本頁數(shù)據(jù)依次讀出。隨后再改變頁地址讀出其它頁內(nèi)數(shù)據(jù)。操作流程圖如圖3。

圖2 寫操作流程圖

圖3 讀FLASH數(shù)據(jù)程序流程圖

3.3 擦除操作

任何FLASH器件的寫入操作都必須在空的或已擦除的單元內(nèi)進(jìn)行，因此在進(jìn)行下一次存儲數(shù)據(jù)之前都必須對FLASH進(jìn)行擦除操作。

擦除操作基于塊，K9F1G08U0M內(nèi)有1024塊，塊地址的輸入需要兩個周期，塊操作的地址只有A18—A27有效，A12—A17備忽略。在地址后被送入的塊擦除命令（D0h）啟動塊擦除操作，待 信號變高后，送入命令字70h，讀出I/O0的值來判斷數(shù)據(jù)擦除是否成功。圖4為塊擦除流程圖。

圖4 擦除FLASH程序流程圖

4 程序設(shè)計

在此給出寫操作部分程序，讀操作和擦除操作均可參考文中流程圖來編程，值得注意的是其它具體寫地址操作應(yīng)仔細(xì)閱讀