多路讀寫的SDRAM接口設(shè)計
加入技術(shù)交流群
存儲器是容量數(shù)據(jù)處理電路的重要組成部分。隨著數(shù)據(jù)處理技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，對于存儲器的容量和性能提出了越來越高的要求。同步動態(tài)隨機(jī)存儲器SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory）因其容量大、讀寫速度快、支持突發(fā)式讀寫及相對低廉的價格而得到了廣泛的應(yīng)用。SDRAM的控制比較復(fù)雜，其接口電路設(shè)計是關(guān)鍵。
本文首先介紹SDRAM的主要控制信號和基本命令；然后介紹接口電路對SDRAM的主要操作路徑及操作過程，應(yīng)用于解復(fù)用的SDRAM接口電路的設(shè)計方法；最后給出了實(shí)現(xiàn)結(jié)果。
1 SDRAM的主要控制信號和基本命令
SDRAM的主要控制信號為：
·CS：片選使能信號，低電平有效；
·RAS：行地址選通信號，低電平有效；
·CAS：列地址選通信號，低電平有效；
·WE：寫使能信號，低電平有效。
SDRAM的基本命令及主要控制信號見表1。
表1 SDRAM基本操作及控制信號
| 命 令 名 稱 | CS | RAS | CAS | WE |
| 命令禁止（NOP:Command inhibit） | H | X | X | X |
| 空操作（NOP：No operation） | L | H | H | H |
| 激活操作（ACT：Select bank and active row） | L | L | H | H |
| 讀操作（READ：Select bank and column,and start READ burst） | L | H | L | H |
| 寫操作（WRITE：Select bank and column,and start WRITE burst） | L | H | L | L |
| 突發(fā)操作停止（BTR：Burst terminate） | L | H | H | L |
| 預(yù)充電（PRE：Deactive row in bank or banks） | L | L | H | L |
| 自動刷新或自我刷新（REF：Auto refresh or self refresh） | L | L | L | H |
| 配置模式寄存器（LMR：Load mode register） | L | L | L | L |
所有的操作控制信號、輸入輸出數(shù)據(jù)都與外部時鐘同步。
2 接口電路對SDRAM的主要操作路徑及操作過程
一個完備的SDRAM接口很復(fù)雜。由于本文的SDRAM接口應(yīng)用于解復(fù)用，處理的事件相對來說比較簡單，因而可以簡化設(shè)計而不影響性能。接口電路SDRAM的主要操作可以分為：初始化操作、讀操作、寫操作、自動刷新操作。
（1）初始化操作
SDRAM上電一段時間后，經(jīng)過初始化操作才可以進(jìn)入正常工作過程。初始化主要完成預(yù)充電、自動刷新模式寄存器的配置。操作過程如圖1所示。
（2）讀寫操作
讀寫操作主要完成與SDRAM的數(shù)據(jù)交換。讀操作過程如圖2所示，寫操作過程如圖3所示。
評論