SL11R單片機(jī)外部存儲(chǔ)器擴(kuò)展
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表2 SL11R讀周期參數(shù)
| 符 號(hào) | 參 數(shù) | 最小值 | 最大值 |
| tCR tRDH tCDH tPRW tAR tAC | CS下降沿到RD下降沿 RD上升沿到數(shù)據(jù)保持 CS上升沿到數(shù)據(jù)保持 RD低電平時(shí)間 RD下降沿到地址有效 RAM訪問(wèn)時(shí)間 | 1ns 5ns 3ns 28ns 1ns | 31ns 3ns 12ns |
SL11R擴(kuò)展外部SRAM或EPROM時(shí)，可以設(shè)定等待周期，最長(zhǎng)可設(shè)定7個(gè)等待周期，每個(gè)等待周期時(shí)間為31ns（PCLK=32MHz時(shí)），這樣SL11R就可以擴(kuò)展價(jià)格低廉的低速EPROM和SRAM存儲(chǔ)器。
選擇SRAM的速度主要應(yīng)該由CS的低電平脈沖寬度決定：
tAC=tCR+tRDH-tCDH+等待周期時(shí)間
筆者經(jīng)實(shí)驗(yàn)得到常見(jiàn)的SRAM需要設(shè)定的等待周期數(shù)，見(jiàn)表3。從表3的數(shù)據(jù)可知，一般SRAM的速度可以達(dá)到標(biāo)稱值，如PCLK為32MHz，100ns SRAM的等待周期為2，這時(shí)tAC=1+28+5-3+2×31=93ns。
表3 常見(jiàn)SRAM等待周期設(shè)定
| 100ns SRAM | 70ns SRAM | 15ns SRAM | 12ns SRAM | |
| PCLK=32MHz PCLK=48MHz | 2 3 | 1 2 | 0 0 | 0 0 |
3.2 動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的速度
EDO DRAM的讀寫(xiě)速度有兩種情況：一種是隨機(jī)讀寫(xiě)；另一種是快速頁(yè)面讀寫(xiě)。SL11R隨機(jī)讀取DRAM的時(shí)序見(jiàn)圖6，參數(shù)見(jiàn)表4。
表4 SL11R讀DRAM參數(shù)
| PCLK | tRC | 1RAS | tCAS | tRAC | tOAC |
| 32MHz | 150ns | 80ns | 20ns | 80ns | 20ns |
| 48MHz | 100ns | 53ns | 13ns | 53ns | 13ns |
影響DRAM速度的參數(shù)較多，但選擇DRAM主要是根據(jù)tRAS。一般選擇50ns或60ns的DRAM就可以滿足要求。
SL11R隨機(jī)讀寫(xiě)DRAM的周期時(shí)間tRC在PCLK為32MHz時(shí)為150ns；PCLK為48MHz時(shí)為100ns。經(jīng)測(cè)試，DMA方式下，DRAM的讀寫(xiě)速度可以達(dá)到6MHz，滿足常用的數(shù)據(jù)采集要求。
SL11R擴(kuò)展外部存儲(chǔ)器的能力較強(qiáng)，可以方便地?cái)U(kuò)展I2C接口的串行存儲(chǔ)器、各種速度的靜態(tài)存儲(chǔ)器以及大容量的DRAM。配合SL11R的USB接口和快速的處理能力，可以滿足各種應(yīng)用的需要。
評(píng)論