2.3 K9F2808U0C與LPC2210的連接

　　K9F2808U0C與LPC2210的連接如圖3所示，使用8位數(shù)據(jù)總線D0～D7與K9F2808U0C的I/O0～I(xiàn)/O7引腳相連，使用數(shù)據(jù)總線來發(fā)送地址、數(shù)據(jù)和命令。K9F2808U0C的片選信號(hào)由CS3控制，即使用LPC2210的外部存儲(chǔ)器接口的Bank3地址空間，而CLE，ALE信號(hào)
分別由A0，A1控制，所以K9F2808U0C的操作地址如下：

3 讀寫操作流程

K9F2808U0C的頁編程操作流程圖。

　　首先向I/O寫人編程指令80H，然后使用3個(gè)時(shí)鐘周期寫入目的地址(A0～A23)，接著向I/O寫入數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)發(fā)送完成后，寫入指令10H啟動(dòng)頁編程，此時(shí)芯片內(nèi)部的邏輯電路將進(jìn)行頁擦除和數(shù)據(jù)編程操作。微控制器可以讀狀態(tài)指令70H來讀取狀態(tài)寄存器的值，若D6位為1，則表明寫操作完成。

寫操作完成后，通過讀取狀態(tài)寄存器的D0位判斷編程是否成功，若D0位為0，則表示編程成功；否則表示編程失敗。

　　K9F2808U0C的塊擦除和讀數(shù)據(jù)操作如圖5所示：對于K9F2808U0C的擦除是以塊為單位，擦除時(shí)首先寫入塊擦除命令60H，然后輸入要擦除塊的地址，再寫入指令DoH啟動(dòng)塊擦除。微控制器可以讀取狀態(tài)指令70H來讀取狀態(tài)寄存器的值，若D6位為1，則表明擦除完成。寫操作完成后，通過讀取狀態(tài)寄存器的D0位來判斷擦除是否成功。

　　對于K9F2808U0C的讀數(shù)據(jù)操作是以頁為單位，讀數(shù)據(jù)時(shí)首先寫入讀數(shù)據(jù)命令00H，然后輸入要讀取頁的地址，接著從數(shù)據(jù)寄存器中讀取數(shù)據(jù)，最后進(jìn)行ECC校驗(yàn)。

4 在μC/OS實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)下的實(shí)現(xiàn)和性能驗(yàn)證
　　μC/OS是一個(gè)多任務(wù)的實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)，專為嵌入式應(yīng)用而設(shè)計(jì)，可用于各類8位、16位和32位單片機(jī)或DSP，已有10余年應(yīng)用史，其安全性和實(shí)時(shí)性得到了廣泛的認(rèn)同，在嵌入式領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用。該操作系統(tǒng)公開了他的實(shí)時(shí)性內(nèi)核源碼，同時(shí)提供了較多的應(yīng)用接口函數(shù)。通過在其實(shí)時(shí)內(nèi)核的基礎(chǔ)上做少量的修改，便可將對NAND FLASH的操作移植到μC/OS中，利用OSTa-skCreateExt()函數(shù)創(chuàng)建任務(wù)并檢查堆?？臻g，利用PC-ElapsedInit()初始化時(shí)間測量功能。共建立5個(gè)任務(wù)，分別為空閑任務(wù)、統(tǒng)計(jì)任務(wù)、頁編程任務(wù)、塊擦除任務(wù)和讀數(shù)據(jù)任務(wù)，程序代碼示意如下：

5 結(jié) 語

　　以Samsung NAND FLASH器件K9F2808U0C為例，通過PHILIPS LPC2210實(shí)現(xiàn)對存儲(chǔ)器的器件操作，以μC/OS實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)為平臺(tái)完成測試實(shí)驗(yàn)，將得到的實(shí)驗(yàn)結(jié)果與Satnsung公司的K9F2808UOC FLASH Memory手冊進(jìn)行對比，表明該設(shè)計(jì)滿足設(shè)計(jì)要求，達(dá)到預(yù)期目標(biāo)。