1.1　TDA8007簡(jiǎn)介

　　TDA8007是NXP公司推出的IC卡讀卡芯片。它提供2個(gè)能同時(shí)滿足ISO7816標(biāo)準(zhǔn)、EMV和GSM1111標(biāo)準(zhǔn)的IC卡讀寫接口。處理器只需通過(guò)其接口控制并行通信來(lái)管理TDA8007，便可實(shí)現(xiàn)對(duì)IC卡的上電、下電及讀寫數(shù)據(jù)處理。TDA8007的片選信號(hào)和外部中斷信號(hào)線可以方便讀寫器處理多個(gè)IC卡頭；特別的硬件ESD處理、接口短路處理、電源出錯(cuò)處理等，為IC卡和IC卡讀寫器提供了比較高的安全保護(hù)；內(nèi)部集成的電源管理功能使其供電范圍可達(dá)2.7～6.0 V，通過(guò)電源管理可以給IC卡提供5.0 V、3.0 V及1.8 V的電源，以適合不同工作電壓的IC卡應(yīng)用。

1.2　TDA8007工作時(shí)序與ARM總線時(shí)序比較

　　在基于ARM核心的嵌入式系統(tǒng)中，程序大多數(shù)是存在外部NAND Flash里面的。當(dāng)TDA8007也接入總線時(shí)，若使用總線復(fù)用的方式，就需要把程序調(diào)用到內(nèi)存中運(yùn)行，同時(shí)需要11個(gè)GPIO來(lái)控制TDA8007的讀寫。本文采用非總線復(fù)用的方式，ARM處理器選用LPC2220。LPC2220微控制器是基于一個(gè)支持實(shí)時(shí)仿真和嵌入跟蹤的32/16位ARM7TDMIS CPU。由于TDA8007最開始是為51核的單片機(jī)設(shè)計(jì)的，所以讀寫的時(shí)序和ARM的總線不同。 TDA8007和LPC2220的讀寫時(shí)序如圖1和圖2所示。

圖1　TDA8007的讀寫時(shí)序

圖2　LPC2220的讀寫時(shí)序

　　對(duì)比圖1和圖2，可以發(fā)現(xiàn)TDA8007和LPC2220的讀寫時(shí)序是不一樣的，因此無(wú)法直接連接。特別要說(shuō)明的是，使用之前一定要深入研究芯片的數(shù)據(jù)手冊(cè)，時(shí)序匹配不對(duì)可能會(huì)導(dǎo)致二次布板。

1.3　解決方案

　　TDA8007無(wú)法直接連接到LPC2220，同時(shí)除非使用專門的GPIO接口，否則也無(wú)法采用總線復(fù)用的方式操作TDA8007，目前，大多數(shù)設(shè)計(jì)方案都是使用51單片機(jī)控制TDA8007，51單片機(jī)再與LPC2220進(jìn)行通信。本文提出了一種新的解決辦法，可以很方便使TDA8007連接到LPC2220處理器，操作方法和操作存儲(chǔ)器一樣。

　　通過(guò)比較可以很清楚看出，二者時(shí)序的主要區(qū)別在于讀寫信號(hào)的時(shí)序不同，如表1所列。

表1　TDA8007與LPC2220讀寫時(shí)序比較

　　針對(duì)TDA8007的獨(dú)特時(shí)序，將LPC2220的OE、WE信號(hào)進(jìn)行與操作，作為TDA8007的WR使能信號(hào)，使用一個(gè)GPIO口進(jìn)行讀寫控制，CS信號(hào)仍然不變，這樣的時(shí)序圖就非常符合讀寫的要求。圖3為TDA8007與LPC2220連接的電路圖。其中，TDA_RD/WR是GPIO。

圖3　TDA8007設(shè)計(jì)電路

2　軟件接口

　　由于TDA8007連接到ARM總線上時(shí)使用GPIO控制讀寫操作，所以程序也需進(jìn)行相應(yīng)修改。修改后讀寫函數(shù)如下：

#define TdaCS 0x83000040//TDA8007地址

unsigned char *volatile TDA=（unsigned char *）TdaCS;

uchar read_register（uchar address） {

　uchar val;

　IO3DIR=（IO3DIR |（0x0129））;

　IO3SET=（0x01 29）;//RD控制，RD=1

　val=TDA[address];

　return val;

}

void write_register（uchar address, uchar _data）{

　IO3DIR=（IO3DIR |（0x0129））;

　IO3CLR=（0x01 29）;//RD控制，RD=0

　TDA[address]=_data;

　IO3SET=（0x01 29）;

}

3　結(jié)論

　　使用TDA8007時(shí)需要注意如下問(wèn)題：

　?、?外圍電路的配置。SAP和SAM、SBP和SBM、VUP和GND這3個(gè)電容的匹配非常重要，如果電容選擇錯(cuò)誤，可能會(huì)導(dǎo)致上電失敗。按照經(jīng)驗(yàn)，SAP和SAM、SBP和SBM之間均使用0.01 μF電容，VUP和GND之間使用220 nF電容。這種配置方式的實(shí)際使用效果好于按照demo電路的電容配置。

　?、?在大多數(shù)的使用環(huán)境下，TDA8007使用晶振為14.745 6 MHz。如果CPU的頻率比較低，最好進(jìn)行分頻。

　?、?上電前最好先確定是否已經(jīng)插卡9，避免多次上電導(dǎo)致芯片燒毀。

　　本文的解決方案已經(jīng)在某公司金融POS系列產(chǎn)品中得到實(shí)際應(yīng)用。從目前的使用情況來(lái)看，可以通過(guò)國(guó)際EMV L1和L2認(rèn)證。