原理圖：

原理介紹：基極上串連1K采樣電阻，分別測量1K兩端上的電壓V1、V2，這樣V2就是Vbe，而基極電流就是：(V1-V2)/1000 - V2/30000 。同樣，集電極串連3.4歐采樣電阻，分別測量其兩端電壓V3、V4，這樣V3就是Vce，集電極電流就是：(V4-V3)/3.4 - V3/30000。

根據(jù)上述4個數(shù)據(jù)，就可以測量很多東西了。例如，測二極管正向特性和電阻就是只測Vce和Ic；測N-MOS就和NPN一樣，只關(guān)心Vbe和Ic就行了。 測量PNP可能麻煩一點，還在寫程序，打算是PNP的發(fā)射極接C，集電極接地，不過一開始，Vbe就設(shè)置成較高電壓，集電極電壓就從0慢慢升高，直到V4>V4為止，這時候，PNP管才正式導(dǎo)通。測光電耦合器是光電二極管接在集電極和地，而光敏三極管接在基極端。

測量 J－FET較麻煩，打算是源極串連基準(zhǔn)電阻后，像NPN一樣接入測量。

下面談?wù)勥@個在使用中的缺點： 因為基極采樣電阻只有1K，而MAX188的精度只有1mv，還經(jīng)過3倍分壓，再加上干擾，所以，在基極采樣電阻上的壓降要達(dá)到10mV才可信，這樣，基極電流就至少得10uA才能有效測量。

同樣，集電極采樣電阻只有3.4歐，如果集電極電流小于3mA就是誤差了。這樣導(dǎo)致不能有效測量小功率管。

DAC輸出電流最大2.5mA，這樣，基極也最多2.5mA。測量Hfe較低的就不好辦；集電極采樣電阻3.4歐，這樣在電流1A時，壓降達(dá)到3V，留給測量管的只剩下5-7V了。

現(xiàn)在正在構(gòu)思1.1版本，基極采樣電阻分兩檔，兩個接線端b1/b2，采樣電阻分別是10K和100歐，基極電流也加入擴(kuò)流。最大輸出120mA，集電極采樣電阻也分兩檔c1/c2，采樣電阻1K和1.4歐， Vce輸出部分的擴(kuò)充電流部分打算加入限流，以保護(hù)管子。這樣將c1 c2 和 b1 b2組合有四種量程，滿足Ib=1uA--100mA，Ic＝100uA--2A測量。

量程不用繼電器切換，而是插到不同插座上。原來只使用4個通道ADC，現(xiàn)在用6通道ADC輸入端，這樣就不用增加繼電器和控制線。新板打算放4個5位接線柱，用于接大功率管測量。還放一個DIP20鎖緊插座用于測量小功率管。這樣，能滿足除了To-3外任何管腳插法。

測量沒有溫升是很好的，一般人試過在>0.3A下手動測量管時，即使加散熱片，但看著讀數(shù)不停升高，根本不知道什么時候讀數(shù)才好。而這個測量器測量是沒有溫升的，排除了管子自身溫升影響，通過外加加熱器自己控制溫度，就能保證每一只管都可以在同樣溫度下測量。