隨著，信號(hào)上升沿時(shí)間的減小，信號(hào)頻率的提高，電子產(chǎn)品的EMI問(wèn)題，也來(lái)越受到電子工程師的光注。高速PCB設(shè)計(jì)的成功，對(duì)EMI的貢獻(xiàn)越來(lái)越受到重視，幾乎60％的EMI問(wèn)題可以通過(guò)高速PCB來(lái)控制解決。

規(guī)則一：高速信號(hào)走線(xiàn)屏蔽規(guī)則

如上圖所示：

在高速的PCB設(shè)計(jì)中，時(shí)鐘等關(guān)鍵的高速信號(hào)線(xiàn)，走需要進(jìn)行屏蔽處理，如果沒(méi)有屏蔽或只屏蔽了部分，都是會(huì)造成EMI的泄漏。

建議屏蔽線(xiàn)，每1000mil，打孔接地。

規(guī)則二：高速信號(hào)的走線(xiàn)閉環(huán)規(guī)則

由于PCB板的密度越來(lái)越高，很多PCB LAYOUT工程師在走線(xiàn)的過(guò)程中，很容易出現(xiàn)這種失誤，如下圖所示：

時(shí)鐘信號(hào)等高速信號(hào)網(wǎng)絡(luò)，在多層的PCB走線(xiàn)的時(shí)候產(chǎn)生了閉環(huán)的結(jié)果，這樣的閉環(huán)結(jié)果將產(chǎn)生環(huán)形天線(xiàn)，增加EMI的輻射強(qiáng)度。

規(guī)則三：高速信號(hào)的走線(xiàn)開(kāi)環(huán)規(guī)則

規(guī)則二提到高速信號(hào)的閉環(huán)會(huì)造成EMI輻射，同樣的開(kāi)環(huán)同樣會(huì)造成EMI輻射，如下圖所示：

時(shí)鐘信號(hào)等高速信號(hào)網(wǎng)絡(luò)，在多層的PCB走線(xiàn)的時(shí)候產(chǎn)生了開(kāi)環(huán)的結(jié)果，這樣的開(kāi)環(huán)結(jié)果將產(chǎn)生線(xiàn)形天線(xiàn)，增加EMI的輻射強(qiáng)度。在設(shè)計(jì)中我們也要避免。

規(guī)則四：高速信號(hào)的特性阻抗連續(xù)規(guī)則

高速信號(hào)，在層與層之間切換的時(shí)候必須保證特性阻抗的連續(xù)，否則會(huì)增加EMI的輻射，如下圖：

也就是：同層的布線(xiàn)的寬度必須連續(xù)，不同層的走線(xiàn)阻抗必須連續(xù)。