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        LDMOS結(jié)構(gòu)/優(yōu)點(diǎn)

        作者: 時(shí)間:2012-02-11 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
        COLOR: rgb(0,0,0); PADDING-TOP: 0px">  我們的 0.14 微米工藝能力可將技術(shù)更進(jìn)一步優(yōu)化,將 效能帶到 效率的理論極限,在此之后,新的器件架構(gòu)將著重于如何讓 為新型態(tài)晶體管運(yùn)作優(yōu)化,并強(qiáng)化如 Doherty 等概念。

        運(yùn)作面:

          絕佳的穩(wěn)定性,由于負(fù)汲極電流溫度常數(shù),所以不受熱散失的影響

          比雙載子更能忍受較高的負(fù)載未匹配現(xiàn)象 (VSWR),提高現(xiàn)場(chǎng)實(shí)際應(yīng)用的可靠度

          卓越的射頻穩(wěn)定度,在閘極與汲極間內(nèi)置隔離層,可以降低回授電容

          在平均無(wú)故障時(shí)間 (MTTF) 上有相當(dāng)好的可靠度

          LDMOS 的優(yōu)勢(shì)

          技術(shù)面:

          卓越的效率,可降低功率消耗與冷卻成本

          卓越的線性度,可將信號(hào)預(yù)校正需求降到最低

          優(yōu)化超低熱阻抗,可縮減放大器尺寸與冷卻需求并改善可靠度

          卓越的尖峰功率能力,可帶來(lái)最少數(shù)據(jù)錯(cuò)誤率的高 3G 數(shù)據(jù)率

          高功率密度,使用較少的晶體管封裝

          超低感抗、回授電容與串流閘阻抗,目前可讓 LDMOS 晶體管在雙載子器件上提供 7 bB 的增益改善

          直接源極接地,提升功率增益并免除 BeO 或 AIN 隔離物質(zhì)的需求

          在 GHz 頻率下?lián)碛懈吖β试鲆?,帶?lái)更少設(shè)計(jì)步驟、更簡(jiǎn)易更具成本效益的設(shè)計(jì) (采用低成本、低功率驅(qū)動(dòng)晶體管)


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        關(guān)鍵詞: LDMOS

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