DS1265W 8Mb非易失(NV)SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦超出容差范圍，鋰電池便自動(dòng)切換至供電狀態(tài)、寫保護(hù)將無(wú)條件使能、防止數(shù)據(jù)被破壞。該器件沒(méi)有寫次數(shù)限制，可直接與微處理器接口、不需要額外的支持電路。

　　關(guān)鍵特性

　　在沒(méi)有外部電源時(shí)下最少可以保存數(shù)據(jù)10年

　　掉電期間數(shù)據(jù)被自動(dòng)保護(hù)

　　沒(méi)有寫次數(shù)限制

　　低功耗CMOS操作

　　100ns的讀寫存取時(shí)間

　　第一次上電前，鋰電池與電路斷開、維持保鮮狀態(tài)

　　可選的-40°C至+85°C工業(yè)級(jí)(IND)溫度范圍

　　通過(guò)美國(guó)保險(xiǎn)商實(shí)驗(yàn)室協(xié)會(huì)(UL)認(rèn)證